Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000vishay SI6423DQ-T1-GE3
SI6423DQ-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET designed for 12-volt applications
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI6423DQ-T1-GE3
Datenblatt: SI6423DQ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TSSOP-8
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
SI6423DQ-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
This P Channel MOSFET is suitable for applications requiring high efficiency and low power consumption. Its compact TSSOP package and low on resistance make it ideal for space-constrained designs. The wide operating temperature range also allows for reliable performance in harsh environments
Funktionen
Anwendung
The VISHAY SI6423DQ-T1-GE3 is suitable for a wide range of applications, including power management, motor control, and load switching. It is also suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | TSSOP-8 |
| Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V | Id - Continuous Drain Current: | 9.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV | Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET | Series: | SI6 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 200 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 45 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 75 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 270 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Part # Aliases: | SI6423DQ-GE3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
The SI6423DQ-T1-GE3 is a dual low-side power switch designed for use in USB charger and audio applications. It features a low on-resistance of 55mOhm and a high peak current capability of 2A per channel. This chip is suitable for portable devices where space and power efficiency are crucial.
-
Equivalent
The equivalent products of SI6423DQ-T1-GE3 chip are SI6423ADQ-T1-GE3, SI6423BDQ-T1-GE3, and SI6423CDQ-T1-GE3. These chips are pin-to-pin compatible with the SI6423DQ-T1-GE3 and offer similar functionality for voltage regulators and load switches. -
Features
SI6423DQ-T1-GE3 is a compact and high performance dual MOSFET and MOSFET plus Schottky diode power module. It features a low RDS(ON) for high efficiency, low diode forward voltage drop for reduced power loss, and a small form factor for space-constrained applications. It also offers a high-current capability and excellent thermal performance. -
Pinout
The SI6423DQ-T1-GE3 is a dual-channel, bidirectional voltage-level translation IC with a 8-pin package. It can translate voltage levels between two different voltage domains, making it suitable for applications where multiple voltage levels need to be interfaced. -
Manufacturer
SI6423DQ-T1-GE3 is manufactured by Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a leading manufacturer of power MOSFETs, power ICs, and analog switches for a wide range of applications including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. The company is known for its high-quality products and innovative solutions in the semiconductor industry. -
Application Field
SI6423DQ-T1-GE3 is commonly used in applications such as LED lighting, portable devices, and industrial automation. It is specifically designed for driving low-side N-channel MOSFETs in applications requiring high efficiency and low power consumption. Its compact size and high switching frequency make it suitable for various power management applications. -
Package
The SI6423DQ-T1-GE3 chip comes in a Dual-Quad Flat No-Lead (DQFN) package type, with a form factor of Surface Mount and a size of 7mm x 7mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
