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vishay SI7113DN-T1-E3

MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: SI7113DN-T1-E3

Datenblatt: SI7113DN-T1-E3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: PowerPAK-1212-8

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI7113DN-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

With a low Rds(On) Test Voltage of 20V and a Gate Source Threshold Voltage Max of 3V, the SI7113DN-T1-E3 offers efficient performance and reliable operation in switching and amplification circuits. However, it is important to note that this product is not RoHS compliant, so extra caution must be taken when incorporating it into environmentally sensitive projects

Funktionen

  • 4.5V to 24V Input Voltage Range
  • 6A Output Current
  • 45mΩInternal High Side N-MOSFET
  • Current Mode Control
  • 600kHz Switching Frequency
  • Adjustable Output from 0.8V to 15V
  • Up to 95% Efficiency
  • Internal Compensation
  • Stable with Ceramic Capacitors
  • Synchronous External Clock : 300kHz to 1.5MHz
  • Cycle-by-Cycle Current Limit
  • Input Under Voltage Lockout
  • Output Under Voltage Protection
  • Power Good Indicator
  • Thermal Shutdown Protection
  • RoHS Compliant and Halogen Free

Anwendung

Active Clamp in Intermediate DC/DC Power Supplies

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: PowerPAK-1212-8
Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V Id - Continuous Drain Current: 13.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 134 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V Qg - Gate Charge: 35 nC
Minimum Operating Temperature: - 50 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 52 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: TrenchFET Series: SI7
Packaging: MouseReel Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: Single Fall Time: 10 ns
Forward Transconductance - Min: 25 S Height: 1.04 mm
Length: 3.3 mm Product Type: MOSFET
Rise Time: 13 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 42 ns Typical Turn-On Delay Time: 11 ns
Width: 3.3 mm Part # Aliases: SI7113DN-E3
Unit Weight: 0.032487 oz

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  • Vakuumverpackung

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    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SI7113DN-T1-E3 is a synchronous buck converter IC designed for use in various power management applications. It features high efficiency and a wide input voltage range, making it suitable for a range of devices including smartphones, tablets, and portable electronics. The chip also offers overcurrent protection and thermal shutdown functionality for added reliability.

  • Equivalent

    The equivalent products of SI7113DN-T1-E3 chip are SI7113DN-T1-GE3, SI7113DN-T1-E3, SI7113DN-T1-E3-ND, and SI7113DN-T1-GE3-ND.

  • Features

    SI7113DN-T1-E3 is a 60V N-channel TrenchFET power MOSFET with low RDS(on) of 11.1mΩ at VGS of 10V. It has a small footprint DFN package and is RoHS compliant. Other features include a high current handling capability, low power consumption, and high efficiency, making it suitable for a wide range of applications.

  • Pinout

    The SI7113DN-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET IC with 8 pins. It is used for power management in various applications, including DC-DC conversion, load switching, and motor control. It features a low on-resistance and can handle high current levels efficiently.

  • Manufacturer

    The manufacturer of SI7113DN-T1-E3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that designs, manufactures, and supplies power management components and analog switches for a variety of industries including automotive, telecommunications, and consumer electronics.

  • Application Field

    SI7113DN-T1-E3 is commonly used in power management applications such as load switch and voltage regulator modules. It is also suitable for battery charger and power distribution designs in smartphones, tablets, and other portable electronic devices. Additionally, it can be utilized in industrial automation and automotive systems for voltage monitoring and power control purposes.

  • Package

    The SI7113DN-T1-E3 chip comes in a DFN-8 package type, surface mount form, with dimensions of 2mm x 2mm x 0.85mm.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

ADS7809U

MIMX8ML8DVNLZAB

TMC2660C-PA

P6KE100A

THS4631D

UCC28C43DR

1N4148WSQ-7-F

AD8307ARZ

LM7824CT

OPB625

VSLB3940

ADS1118IDGST

CBTU02043HEJ

TS391RILT

TPS7A3901DSCR

LTC1859IG#PBF

MCF5282CVM80

5CEFA5F23I7N

LT1761ES5-BYP#TRPBF

L6599ADTR

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