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$5000SI9955DY
Dual N-Channel MOSFET in SO8 package
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Marken: ONSEMI
Herstellerteil #: SI9955DY
Datenblatt: SI9955DY Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: 8-SOIC
Produktart: FET, MOSFET Arrays
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.644 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI9955DY Allgemeine Beschreibung
Whether used in industrial machinery, automotive systems, or consumer electronics, this MOSFET transistor delivers reliable and consistent power management capabilities. Its compact size and high efficiency make it a versatile choice for designers looking to optimize space and performance in their applications
Funktionen
- 3.0 A, 50 V. RDS(ON) = 0.130 Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 0.200 Ω @ VGS = 4.5 V
- Low gate charge.
- Fast switching speed.
- High power and current handling capability.
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsFET, MOSFET Arrays | Mfr | onsemi |
Series | - | Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Product Status | Obsolete | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Configuration | 2 N-Channel (Dual) | FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 15V |
Power - Max | 900mW | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Supplier Device Package | 8-SOIC |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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