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vishay SIA436DJ-T1-GE3

N-Channel 8 V (D-S) MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: SIA436DJ-T1-GE3

Datenblatt: SIA436DJ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SC-70-6

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SIA436DJ-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

N-Channel 8 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6

Funktionen

  • Suitable for high-frequency applications
  • Robust construction ensures reliability
  • Compliant with major industry standards

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-70-6
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 8 V Id - Continuous Drain Current: 12 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 9.4 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 5 V, + 5 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 350 mV Qg - Gate Charge: 15 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 19 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: TrenchFET, PowerPAK Series: SIA
Packaging: MouseReel Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: Single Fall Time: 8 ns
Forward Transconductance - Min: 70 S Product Type: MOSFET
Rise Time: 10 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 30 ns Typical Turn-On Delay Time: 11 ns
Part # Aliases: SIA436DJ-GE3

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
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Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
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Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SIA436DJ-T1-GE3 is a high-speed diode array designed to protect sensitive electronic equipment from voltage transients. It features ultra-low capacitance and low clamping voltage, making it ideal for use in high-speed communication systems. The chip is commonly used in Ethernet ports, USB interfaces, and other high-speed data lines to provide robust transient protection.
  • Equivalent

    The equivalent products of SIA436DJ-T1-GE3 chip are SIA431DJ-T1-GE3 and SIA434DJ-T1-GE3, in the SIA4xxDJ family of chips. These products provide similar functionality and features as the SIA436DJ-T1-GE3 chip, offering a range of options for designers looking for alternatives.
  • Features

    - SIA436DJ-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET - It has a low on-resistance of 13.5 mΩ - It is capable of handling high current loads - Suitable for various applications such as power management and power supplies - Features a compact and efficient design for space-constrained applications
  • Pinout

    SIA436DJ-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a total pin count of 6. Pin functions include gate (G), drain (D), and source (S) for each N-channel MOSFET. It is commonly used in power management applications.
  • Manufacturer

    SIA436DJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, a global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Intertechnology specializes in supplying components for a wide range of industries, including automotive, consumer electronics, industrial, and telecommunications. They are known for their high-quality products and innovative solutions in the electronics industry.
  • Application Field

    SIA436DJ-T1-GE3 is commonly used in high-speed data communication systems such as optical transceivers, active optical cables, and Ethernet switches. It can also be found in network interface cards, routers, and other networking equipment requiring high-performance data transmission capabilities.
  • Package

    The SIA436DJ-T1-GE3 is a surface mount diode with a form factor of DO-214AC (SMA) and a size of 2.8mm x 2.8mm x 1.5mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

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