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vishay SIA445EDJ-T1-GE3

MOSFET -20V [email protected] 12A P-Ch G-III

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: SIA445EDJ-T1-GE3

Datenblatt: SIA445EDJ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SC-70-6

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SIA445EDJ-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

Offering superior performance and reliability, the SIA445EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH transistor is ideal for demanding applications where high current and low resistance are required. With a maximum operating temperature of 150°C and a minimum of -55°C, this transistor can withstand extreme temperature conditions without compromising its functionality. The PowerPAK SC70 case style offers efficient heat dissipation, while the 6-pin configuration allows for easy integration into circuit designs. The MSL 1 - Unlimited rating ensures that this transistor is suitable for a wide range of storage and assembly environments

Funktionen

  • High speed switching and low loss
  • Multibit and high frequency operation
  • Robust design for high reliability
  • Economical solution with high performance

Anwendung

Smart Phones, Tablet PCs, Mobile Computing - Battery Switch - Charger Switch - Load Switch

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SC-70-6
Transistor Polarity: P-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V Id - Continuous Drain Current: 12 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 16.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.2 V Qg - Gate Charge: 48 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 19 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: TrenchFET, PowerPAK Series: SIA
Packaging: MouseReel Brand: Vishay Semiconductors
Configuration: Single Fall Time: 20 ns
Forward Transconductance - Min: 29 S Product Type: MOSFET
Rise Time: 25 ns Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: MOSFETs Typical Turn-Off Delay Time: 55 ns
Typical Turn-On Delay Time: 25 ns Part # Aliases: SIA445EDJ-GE3
Unit Weight: 0.001446 oz

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    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

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  • Individuelle Verpackung

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    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SIA445EDJ-T1-GE3 is a power MOSFET chip designed for high efficiency, low on-resistance, and fast switching speeds in a compact package. It is suitable for use in a wide range of power management applications, such as voltage regulators, DC-DC converters, and motor control circuits. With its advanced design and performance capabilities, this chip is ideal for maximizing power efficiency and minimizing heat dissipation in electronic devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of SIA445EDJ-T1-GE3 chip are SIA445EDJ-T1-GE4 and SIA445EDJ-T2-GE3. These chips have similar functionalities and specifications, making them suitable replacements for each other in various electronic applications.
  • Features

    SIA445EDJ-T1-GE3 is a MOSFET with a maximum drain-source voltage of 30V, a continuous drain current of 10A, and a low on-resistance of 8mΩ. It also features a small footprint and high power density, making it suitable for high-performance applications in power management and motor control.
  • Pinout

    SIA445EDJ-T1-GE3 has 6 pins and is a 12 V, 5 A low-voltage load switch IC. It is designed to protect power supply systems by providing a controlled turn-on and turn-off of devices to prevent damage and improve efficiency.
  • Manufacturer

    SIA445EDJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., an American manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay is a global company that provides components for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer, and telecommunications.
  • Application Field

    Some application areas for SIA445EDJ-T1-GE3 may include data centers, telecommunications equipment, industrial systems, and consumer electronics. This high-performance power MOSFET is suitable for a variety of power management applications where high reliability and efficiency are required.
  • Package

    The SIA445EDJ-T1-GE3 chip comes in a surface-mount package type, it is in a form of a dual MOSFET, and measures 2mm x 2mm in size.

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