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$5000vishay SIA456DJ-T1-GE3
N-Channel 200 V (D-S) MOSFET
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SIA456DJ-T1-GE3
Datenblatt: SIA456DJ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-70-6
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIA456DJ-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
N-Channel 200 V 2.6A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Funktionen
Anwendung
- Industrial
- Power Management
- Portable Devices
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-6 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V | Id - Continuous Drain Current: | 2.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.38 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 16 V, + 16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 600 mV | Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 19 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK | Series: | SIA |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 5 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 25 ns | Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Part # Aliases: | SIA456DJ-GE3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SIA456DJ-T1-GE3 is a chip that is used in electronic devices for various applications. It is designed to provide efficient and reliable performance, with features such as low power consumption and high-speed data transfer capabilities. The chip is manufactured by a reputable semiconductor company and is known for its quality and reliability in the industry.
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Equivalent
There are no specified equivalent products for the SIA456DJ-T1-GE3 chip. -
Features
The SIA456DJ-T1-GE3 is a power MOSFET that offers low on-resistance and high efficiency. It has a compact and lightweight design with a small form factor, making it suitable for a variety of applications. It also provides a high-speed switching performance and low gate charge, allowing for faster operation and reduced power losses. -
Pinout
The SIA456DJ-T1-GE3 is a 76-pin MOSFET with a function as a power amplifier for use in cellular handsets and other wireless applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the SIA456DJ-T1-GE3 is Silicon Integrated Systems Corporation (SiS). It is a semiconductor company that specializes in providing integrated circuits and system solutions for various applications such as computers, mobile devices, and consumer electronics. SiS was founded in 1987 and is based in Taiwan. -
Application Field
The SIA456DJ-T1-GE3 is a power MOSFET that is commonly used in various applications, including automotive electronics, industrial equipment, and power supplies. It offers high power density and efficiency, making it suitable for applications that require reliable and efficient power switching. -
Package
The SIA456DJ-T1-GE3 chip comes in a package type called DFN (Dual Flat No-Lead) or PowerPAK® SC-75. It has a form factor of 3.3mm x 3.3mm (0.13" x 0.13") and a size of about 10.89 square millimeters.
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