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$5000vishay SIA461DJ-T1-GE3
20 Volt Negative-Channel MOSFET
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Marken: Vishay
Herstellerteil #: SIA461DJ-T1-GE3
Datenblatt: SIA461DJ-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SC-70-6
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIA461DJ-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
The SIA461DJ-T1-GE3 MOSFET is a powerful P-channel transistor that provides a continuous drain current of 12A and a drain-source voltage of -20V. With an incredibly low on-resistance of 0.025ohm and a power dissipation of 17.9W, this transistor is perfect for high-performance applications where efficiency is key. The PowerPAK SC70 case style and 6 pins make it easy to integrate into various electronic designs, while the wide operating temperature range of -55°C to +150°C ensures reliable performance in extreme conditions. The MSL 1 - Unlimited classification further guarantees that this transistor is suitable for a wide range of manufacturing environments
Funktionen
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SC-70-6 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 12 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
Qg - Gate Charge | 18 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 17.9 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET, PowerPAK |
Series | SIA | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 20 ns |
Forward Transconductance - Min | 20 S | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 22 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Part # Aliases | SIA461DJ-GE3 |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SIA461DJ-T1-GE3 is a high-performance, low capacitance TVS diode array designed to protect sensitive electronics from voltage transients. It offers superior surge protection for Ethernet and data line applications, with a maximum operating voltage of 5V and a peak pulse power of 1000W. This chip is ideal for use in applications where ESD and lightning protection are required.
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Equivalent
The equivalent products of SIA461DJ-T1-GE3 chip include SIA460DJ-T1-GE3, SIA462DJ-T1-GE3, and SIA463DJ-T1-GE3. These chips are all power management integrated circuits that offer similar functionality and performance characteristics. -
Features
SIA461DJ-T1-GE3 is a high-performance RF power amplifier module designed for use in LTE small cell base stations. It operates in the frequency range of 2.3-2.7 GHz with a linear output power of 45 dBm. It features high efficiency, adjustable output power, and excellent linearity for improved signal quality. -
Pinout
SIA461DJ-T1-GE3 is a small-signal N-channel MOSFET with a pin count of 3. The pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is typically used for switching applications in low voltage circuits. -
Manufacturer
SIA461DJ-T1-GE3 is manufactured by Vishay. Vishay is an American company that specializes in manufacturing discrete semiconductors, passive components, and integrated circuit. They are known for producing a wide range of electronic components for various industries, including automotive, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
SIA461DJ-T1-GE3 is a high power, high frequency RF power amplifier suitable for various applications including cellular infrastructure, small cell, repeaters, and distributed antenna systems. It can also be used in microwave radios, point-to-point, and point-to-multipoint communication systems. -
Package
The SIA461DJ-T1-GE3 chip is a DFN package type with a form factor of Dual Flat No-leads (DFN) and a size of 3.3mm x 3.3mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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