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vishay SIC536CD-T1-GE3

Power Integration Module 30A

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: VISHAY

Herstellerteil #: SIC536CD-T1-GE3

Datenblatt: SIC536CD-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: QFN

Produktart: Power Management - Specialized

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.000 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SIC536CD-T1-GE3
SIC536CD-T1-GE3

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Configuration Single FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 860mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) @ Vds 111pF @ 10V
Power - Max 350mW Operating Temperature -55°C ~ 150°C
Mounting Type Surface Mount

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
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Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SIC536CD-T1-GE3 chip is a component used in electronic devices for power management and protection. It is designed to regulate voltage, control current, and provide surge protection. The chip offers high efficiency, reliability, and compactness, making it ideal for various applications such as power supplies, battery chargers, and LED lighting systems.
  • Features

    The SIC536CD-T1-GE3 is a silicon carbide (SiC) MOSFET with a voltage rating of 1200V. It has a current rating of 4A and a low on-resistance. The device is designed for high-power applications, offering improved efficiency, reduced cooling requirements, and increased power density compared to traditional silicon-based devices.
  • Pinout

    The SIC536CD-T1-GE3 is a 6-pin dual N-channel MOSFET with a function of enabling power switching in a variety of applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the SIC536CD-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. It is a global company specializing in the development, manufacturing, and supply of discrete semiconductors and passive electronic components.
  • Application Field

    The SIC536CD-T1-GE3 is a power switch designed for high-frequency applications. It can be used in a wide range of applications such as industrial drives, solar inverters, UPS systems, and electric vehicles. It offers efficient switching performance and low power loss, making it suitable for various power management solutions.
  • Package

    The SIC536CD-T1-GE3 chip has a package type of SC-75-3L, a form of SMD (Surface Mount Device), and a size of approximately 2.8mm x 2.8mm.

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