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vishay SIC634CD-T1-GE3
50A Power Stage with VRPower Integration
Marken: VISHAY
Herstellerteil #: SIC634CD-T1-GE3
Datenblatt: SIC634CD-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: QFN
RoHS-Status:
Lagerzustand: 1.202 Stück, Neues Original
Produktart: Full Half,Bridge Drivers
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,964 | $0,964 |
| 10 | $0,865 | $8,650 |
| 30 | $0,811 | $24,330 |
| 100 | $0,750 | $75,000 |
| 500 | $0,614 | $307,000 |
| 1000 | $0,603 | $603,000 |
Auf Lager: 1.202 Stck
SIC634CD-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
In conclusion, the SIC634CD-T1-GE3 is a premium silicon carbide Schottky diode that combines cutting-edge technology with superior functionality. Its high-performance features, compact design, and environmental compliance make it a standout choice for a wide range of applications where reliability and efficiency are paramount. Choose the SIC634CD-T1-GE3 for your power electronics needs and experience the difference in performance and quality
Funktionen
- This product features a high voltage rating of 650V
- It is designed for high temperature operation up to 175°C
- The SIC634CD-T1-GE3 has a low forward voltage drop of 2.5V
- Its thermal conductivity allows for efficient heat dissipation
- This diode features fast switching speeds and high current rating
- Suitable for various applications such as power supplies and motor control
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | Gate Drivers | RoHS | Details |
| REACH | Details | Product | MOSFET Gate Drivers |
| Type | High-Side, Low-Side | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPak-31 | Number of Drivers | 1 Driver |
| Number of Outputs | 1 Output | Output Current | 50 A |
| Supply Voltage - Min | 4.5 V | Supply Voltage - Max | 24 V |
| Configuration | Non-Inverting | Minimum Operating Temperature | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature | + 125 C | Series | SIC634 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Input Voltage, Max | 24 V |
| Input Voltage, Min | 4.5 V | Maximum Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Maximum Turn-On Delay Time | 20 ns | Operating Supply Current | 300 uA |
| Product Type | Gate Drivers | Shutdown | Shutdown |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | PMIC - Power Management ICs |
| Technology | Si |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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SIC634CD-T1-GE3 is a high-performance, silicon carbide Schottky diode chip designed for power electronics applications. It offers low forward voltage drop, high switching speeds, and high temperature operation, making it ideal for high-efficiency and high-frequency applications. With its robust construction and superior performance characteristics, this chip is a reliable choice for demanding power management systems.
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Equivalent
The equivalent products of SIC634CD-T1-GE3 chip are SIHP15N60E-E3, SIHP30N60E-E3, and SIHP30N60S-E3. These are all Silicon Carbide (SiC) MOSFETs designed for high power applications with improved efficiency and performance characteristics. -
Features
SIC634CD-T1-GE3 is a Silicon Carbide (SiC) Schottky diode with a forward current of 6A, forward voltage of 1.2V, and a reverse voltage of 650V. It has a low reverse recovery time, high surge current capability, and high thermal conductivity, making it suitable for high power applications. -
Pinout
The SIC634CD-T1-GE3 is a 40-pin Dual QFN package Schottky diode featuring two cathodes and a common anode. It is used for reverse polarity protection and signal clamping applications in various electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of SIC634CD-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. It is an American company specializing in discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Intertechnology is a global leader in the semiconductor industry, providing innovative solutions for a wide range of applications in the automotive, industrial, consumer, and telecommunications markets. -
Application Field
SIC634CD-T1-GE3 is primarily used in high voltage and high frequency applications such as power supplies, solar inverters, motor control, and electric vehicle chargers. Its advanced Silicon Carbide technology offers higher efficiency, faster switching speeds, and better thermal performance compared to traditional silicon devices. -
Package
The SIC634CD-T1-GE3 chip is a surface mount package, in the form of a tape and reel. It has a size of 5000 units per reel.
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