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$5000vishay SI1869DH-T1-E3
The SI1869DH-T1-E3 is a surface mount load switch with level-shift capability, designed for a voltage rating of 20V and a current rating of 1.2A
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SI1869DH-T1-E3
Datenblatt: SI1869DH-T1-E3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-363-6
Produktart: Power Distribution Switches, Load Drivers
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI1869DH-T1-E3 Allgemeine Beschreibung
This transistor is suitable for use in circuit designs that require both NPN and PNP transistors. It has a 20V drain-source voltage rating, making it suitable for low-voltage applications. The SC-70 package offers a small footprint, making it well suited for space-constrained designs
Funktionen
- This device is a compact yet powerful solution for
- power management applications requiring low on-resistance and high efficiency.
Anwendung
- Load switching
- DC-DC conversion
- Industrial equipment
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-363-6 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 1.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 165 mOhms |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 1 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Dual | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Part # Aliases | SI1869DH-T1-BE3 SI1869DH-E3 |
Versand
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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SI1869DH-T1-E3 is a chip designed by Vishay Semiconductor. It is a dual P-channel enhancement mode MOSFET with a compact DFN package. The chip offers a low voltage drop and high energy-efficient performance suitable for a wide range of applications, including power management in portable electronic devices.
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Features
The SI1869DH-T1-E3 is a power MOSFET that operates at a voltage of 150V. It has a low on-state resistance and is designed for use in various power conversion applications. It provides high efficiency, fast switching speed, and low gate charge, making it suitable for applications requiring high power density and reliable performance. -
Pinout
The SI1869DH-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET transistor. It has 6 pins in a DFN package. The pins are used for various functions like source, drain, and gate terminals of the two individual MOSFETs. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI1869DH-T1-E3 is Vishay. Vishay is an American company that specializes in manufacturing electronic components, such as semiconductors and passive electronic components. -
Application Field
The SI1869DH-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET used in power management applications, such as DC-DC converters, motor control, and battery chargers. It is designed for medium-power applications that require high efficiency and fast switching capabilities. -
Package
The SI1869DH-T1-E3 chip package type is DPAK, its form is a surface mount, and its size is 6.72mm x 9.65mm.
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