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vishay 2N7002E-T1-E3 48HRS

2N7002E Series N-Channel 60 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: 2N7002E-T1-E3

Datenblatt: 2N7002E-T1-E3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-23-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
5 $0,053 $0,265
50 $0,046 $2,300
150 $0,043 $6,450
500 $0,040 $20,000
3000 $0,037 $111,000
6000 $0,036 $216,000

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2N7002E-T1-E3 Allgemeine Beschreibung

N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3

Funktionen

  • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
  • Low On-Resistance: 3 
  • Low Threshold: 2 V (typ.)
  • Low Input Capacitance: 25 pF
  • Fast Switching Speed: 7.5 ns
  • Low Input and Output Leakage
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
  • BENEFITS
  • Low Offset Voltage
  • Low-Voltage Operation
  • Easily Driven Without Buffer
  • High-Speed Circuits
  • Low Error Voltage

Anwendung

Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS |Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc. |Battery Operated Systems |Solid-State Relays

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 240 mA
Rds On - Drain-Source Resistance: 3 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V Qg - Gate Charge: 600 pC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 350 mW Channel Mode: Enhancement
Series: 2N7002E Packaging: MouseReel
Brand: Vishay / Siliconix Configuration: Single
Forward Transconductance - Min: 600 mS Product Type: MOSFET
Factory Pack Quantity: 3000 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 18 ns
Typical Turn-On Delay Time: 13 ns Part # Aliases: 2N7002E-E3
Unit Weight: 0.000282 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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  • Vakuumverpackung

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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
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Teilpunkte

  • The 2N7002E-T1-E3 is an N-channel MOSFET transistor designed for applications requiring low voltage and moderate current levels. With a compact surface-mount package, it is suitable for portable electronics, power management, and switching circuits. This transistor has a maximum drain current of 290 mA and can handle voltages up to 60 volts, making it versatile in various electronic designs.
  • Equivalent

    Some equivalent products of 2N7002E-T1-E3 chip are BSS123, IRLL024N, DMG1012T, and DMN3012LEG. These are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and capabilities that can be used as alternatives to the 2N7002E-T1-E3 chip in various applications.
  • Features

    1. Small Signal MOSFET 2. N-channel enhancement mode 3. Low on-resistance (1.7 ohms) 4. Low threshold voltage (1.0V) 5. Low gate charge 6. RoHS compliant 7. High current handling capability (115mA) 8. Suitable for many applications including switching, amplification, and voltage regulation.
  • Pinout

    The 2N7002E-T1-E3 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source. It is typically used for low-power switching and amplification applications in electronic devices.
  • Manufacturer

    The manufacturer of 2N7002E-T1-E3 is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is a global company that produces a wide range of electronic components, such as discrete semiconductors, resistors, capacitors, and sensors. They serve various industries, including automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.
  • Application Field

    2N7002E-T1-E3 is commonly used in applications such as switch circuits, amplifier circuits, and low-power devices. Its small size and low on-resistance make it ideal for battery-powered and portable electronic devices. It can also be used in voltage-level translation and LED driver circuits.
  • Package

    The 2N7002E-T1-E3 chip is in a SOT-23 package, in a Surface Mount form. The size of the chip is 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.

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