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vishay SIC780CD-T1-GE3 48HRS

Low-power consumption and high-reliability for demanding industrie

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Vishay

Herstellerteil #: SIC780CD-T1-GE3

Datenblatt: SIC780CD-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: PowerPak-40

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Full Half,Bridge Drivers

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

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Menge Einzelpreis Ext. Preis
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10 $0,697 $6,970
30 $0,687 $20,610
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SIC780CD-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung

The compact and efficient design of the SIC780CD-T1-GE3 is a testament to its innovative technology and advanced engineering. It combines the benefits of silicon carbide with the reliability of a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, making it a versatile solution for various power electronics applications

Funktionen

  • Compact and lightweight design for high-power applications
  • SIC780CD-T1-GE3 has fast switching speeds and high efficiency
  • This SiC Schottky diode features a 1.7V forward voltage drop
  • Maximum current rating of 7A for demanding power circuits
  • Reverse voltage rating of 600V for safe operation in harsh environments
  • SIC780CD-T1-GE3 is designed for high-reliability and long lifespan

Anwendung

  • Efficient and reliable
  • Perfect for high-temperature environments
  • Suitable for various applications

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Product Category Gate Drivers RoHS Details
REACH Details Product MOSFET Gate Drivers
Type High-Side, Low-Side Mounting Style SMD/SMT
Package / Case PowerPak-40 Number of Drivers 2 Driver
Number of Outputs 2 Output Output Current 50 A
Supply Voltage - Min 4.5 V Supply Voltage - Max 18 V
Configuration Non-Inverting Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 125 C Series SIC780
Brand Vishay Semiconductors Input Voltage, Max 18 V
Input Voltage, Min 4.5 V Maximum Turn-Off Delay Time 20 ns
Maximum Turn-On Delay Time 10 ns Operating Supply Current 300 uA
Operating Supply Voltage - 0.3 V to + 22 V Product Type Gate Drivers
Shutdown Shutdown Factory Pack Quantity 3000
Subcategory PMIC - Power Management ICs Technology Si
Tradename DrMOS VRPower Part # Aliases SIC780CD-GE3
Unit Weight 0.018674 oz

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The SIC780CD-T1-GE3 is a high performance, low on-resistance silicon carbide (SiC) power MOSFET chip designed for efficient power conversion applications. With its advanced switching capabilities and high temperature operation, this chip offers improved power efficiency and reliability in a compact form factor.
  • Equivalent

    The equivalent products of SIC780CD-T1-GE3 chip are STP10NK60ZFP, 1RGP10U60JRF, and IRFIB6N60A.
  • Features

    SIC780CD-T1-GE3 is a Silicon Carbide Schottky Diode with a current rating of 7 A, voltage rating of 950 V, and a low forward voltage drop. It has a fast switching speed, high temperature capability, and high surge current capability, making it ideal for high-power applications requiring efficiency and reliability.
  • Pinout

    The SIC780CD-T1-GE3 is a Silicon Carbide Schottky Diode with a TO-220-2 package. It has 2 pins: an anode (A) and a cathode (K). The diode is used for high-frequency rectification and has a forward voltage drop of 1.95V at 20A.
  • Manufacturer

    The manufacturer of SIC780CD-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. It is a global company that produces a wide range of electronic components, including discrete semiconductors, passive components, and sensors. Vishay Intertechnology is known for its high-quality products and innovative solutions for various industries, such as automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics.
  • Application Field

    SIC780CD-T1-GE3 is a high-performance silicon carbide MOSFET designed for applications such as power supplies, inverters, motor drives, and electric vehicles. Its efficient and reliable operation makes it ideal for industries requiring high power density and energy efficiency, including renewable energy, automotive, industrial, and military applications.
  • Package

    The SIC780CD-T1-GE3 chip is a D2PAK package type, comes in surface mount form, and has dimensions of 10.4mm x 8.7mm x 4.5mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

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