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vishay SIR466DP-T1-GE3
Surface Mount PowerPAK SO-8 Technology
Marken: VISHAY
Herstellerteil #: SIR466DP-T1-GE3
Datenblatt: SIR466DP-T1-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: QFN-8
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.943 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $0,449 | $0,449 |
| 10 | $0,396 | $3,960 |
| 30 | $0,370 | $11,100 |
| 100 | $0,344 | $34,400 |
| 500 | $0,328 | $164,000 |
| 1000 | $0,320 | $320,000 |
Auf Lager: 5.943 Stck
SIR466DP-T1-GE3 Allgemeine Beschreibung
The SIR466DP-T1-GE3 MOSFET is a high-performance N channel transistor designed for demanding applications. With a continuous drain current (Id) of 40A and a drain source voltage (Vds) of 30V, this MOSFET provides reliable power handling capabilities. Its low on resistance (Rds(on)) of 0.0029ohm at a test voltage (Vgs) of 10V ensures minimal power loss and efficient operation. The transistor case style is SOIC, and it comes with 8 pins for easy integration into circuit designs. With a power dissipation (Pd) of 54W, the SIR466DP-T1-GE3 MOSFET is well-equipped to handle high power loads while operating within a wide temperature range of -55°C to 150°C. This makes it suitable for use in extreme environments where temperature variations are common. Furthermore, with a Moisture Sensitivity Level (MSL) of -, this MOSFET is resistant to moisture and humidity during storage and handling
Funktionen
- Precise thermal management for reliability
- Robust design for high-vibration environments
- Comprehensive testing for quality assurance
Anwendung
DC/DC Converter - Low Side Switch |Notebook PC |Graphic Cards |ServerSpezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | PowerPAK-SO-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V | Qg - Gate Charge | 65 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 54 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET, PowerPAK | Series | SIR |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
| Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Part # Aliases | SIR466DP-GE3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz |
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