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TOSHIBA SSM3K15AFS,LF
0.1 Amp N-Channel MOSFET
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Marken: Toshiba
Herstellerteil #: SSM3K15AFS,LF
Datenblatt: SSM3K15AFS,LF Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-416-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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10 | $0,046 | $0,460 |
100 | $0,035 | $3,500 |
300 | $0,030 | $9,000 |
3000 | $0,026 | $78,000 |
6000 | $0,022 | $132,000 |
9000 | $0,021 | $189,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
SSM3K15AFS,LF Allgemeine Beschreibung
The SSM3K15AFS,LF is a cutting-edge small signal MOSFET that caters to the demands of low voltage applications. Featuring a commendable maximum drain-source voltage rating of 20 volts and a continuous drain current of 0.15 amperes, this MOSFET is a reliable choice. Housed in a miniature SOT-23 package, it is the perfect fit for devices and applications with space constraints
![Toshiba Inventory Toshiba Inventory](/files/uploads/inventory/toshiba/toshiba1.jpg)
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Toshiba | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-416-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV | Qg - Gate Charge: | - |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 100 mW | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | U-MOSIII | Series: | SSM3K15 |
Packaging: | MouseReel | Brand: | Toshiba |
Configuration: | Single | Forward Transconductance - Min: | 35 mS |
Height: | 0.7 mm | Length: | 1.6 mm |
Product Type: | MOSFET | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns |
Width: | 0.8 mm | Unit Weight: | 0.000085 oz |
Series | U-MOSIII | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13.5 pF @ 3 V | Power Dissipation (Max) | 100mW (Ta) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | SSM | Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Base Product Number | SSM3K15 |
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