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$5000STGW35HF60W
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Marken: STMicroelectronics
Herstellerteil #: STGW35HF60W
Datenblatt: STGW35HF60W Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $6,451 | $6,451 |
210 | $2,574 | $540,540 |
510 | $2,488 | $1268,880 |
990 | $2,446 | $2421,540 |
Auf Lager: 9.458 Stck
STGW35HF60W Allgemeine Beschreibung
Product STGW35HF60W is a high-quality Trans IGBT chip designed for N-CH applications with a voltage rating of 600V and a current rating of 60A. This 3-Pin TO-247 package with 3+Tab configuration is known for its durability and reliability in various industrial and commercial applications. With a power dissipation of 200mW, this IGBT chip offers efficient performance while minimizing heat generation
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | IGBT Transistors |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Package / Case: | TO-247 | Mounting Style: | Through Hole |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A | Pd - Power Dissipation: | 200 W |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Series: | STGW35HF60W | Packaging: | Tube |
Brand: | STMicroelectronics | Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 600 |
Subcategory: | IGBTs |
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