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IXFN360N10T

N-type MOSFET IXFN360N10T: Capable of handling currents up to 360 amps at 100 volts, suitable for various power electronics applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Littelfuse

Herstellerteil #: IXFN360N10T

Datenblatt: IXFN360N10T Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-227-4

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXFN360N10T Allgemeine Beschreibung

The IXFN360N10T is housed in a SOT-227B package and is designed for surface-mount device (SMD) mounting, providing ease of installation and space-saving benefits. It is available in tube packaging for convenient handling and storage. With its combination of high current, voltage, and power handling capabilities, as well as its fast switching characteristics, the IXFN360N10T is a reliable and efficient solution for power management in various industrial and automotive applications

Funktionen

  • Fast Switching Speed
  • Low ESR
  • High Surge Current
  • Highly Reliable

Anwendung

  • Efficient power conversion
  • Reliable charging solutions
  • Motor control applications

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Drain-Source Voltage (V) 100 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.0026
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 360 Gate Charge (nC) 525
Input Capacitance, CISS (pF) 33000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.18
Configuration Single Package Type SOT-227
Power Dissipation (W) 830 Sample Request Yes
Check Stock Yes

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

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1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IXFN360N10T is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip that is designed for high efficiency and high power applications. With a voltage rating of 1000V and a current rating of 360A, this chip is optimized for use in industrial and automotive power systems. It features low on-resistance and fast switching speeds for improved performance.
  • Equivalent

    The equivalent products of IXFN360N10T chip are IXFN360N10S and IXFN400N10T.
  • Features

    IXFN360N10T is a 1000V, 370A power MOSFET with a low on-resistance of 0.022 ohms, suitable for high power applications. It features an isolated package design for high voltage insulation, low gate charge for fast switching, and high current handling capability.
  • Pinout

    The IXFN360N10T is a 3-pin, N-channel power MOSFET transistor. It is designed for high-speed switching applications and features a low on-resistance of 1.8mΩ. This device is commonly used in power supplies, motor control, and other high current applications.
  • Manufacturer

    IXFN360N10T is manufactured by IXYS Corporation, which is a global supplier of power semiconductors and integrated circuits. IXYS Corporation specializes in power management and control technologies for a wide range of applications including industrial, consumer, and automotive markets.
  • Application Field

    The IXFN360N10T is typically used in high performance power supply applications, motor control, and inverter systems. It is also commonly seen in renewable energy systems, such as solar inverters and wind turbines, as well as in industrial equipment and automotive power supplies.
  • Package

    The IXFN360N10T chip is in a TO-268 package with a form of through-hole and a size of 16.6mm x 21mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

  • quantity

    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

  • shipping

    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

  • Garantie

    365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

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