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STP100N6F7

N-Channel 60 V 100A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: STMicroelectronics

Herstellerteil #: STP100N6F7

Datenblatt: STP100N6F7 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-220-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STP100N6F7 Allgemeine Beschreibung

With its groundbreaking STripFET™ F7 technology, the STP100N6F7 Power MOSFET sets a new standard for efficiency and performance in the field of power electronics. This innovative component features a unique trench gate structure that significantly lowers on-state resistance, leading to enhanced energy savings and reduced heat generation. Additionally, the advanced design helps to minimize internal capacitance and gate charge, enabling faster and more precise switching operations that benefit a wide range of applications. Whether used in industrial machinery, automotive systems, or consumer electronics, the STP100N6F7 offers unparalleled advantages in terms of reliability, efficiency, and overall performance, making it a top choice for demanding engineering projects

Funktionen

  • Low leakage current
  • Rugged against voltage spikes
  • Suitable for high-frequency applications

Anwendung

  • Medical

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer: STMicroelectronics Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 100 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 5.6 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V Qg - Gate Charge: 30 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 125 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: STripFET Series: STP100N6F7
Packaging: Tube Brand: STMicroelectronics
Configuration: Single Fall Time: 15 ns
Product Type: MOSFET Rise Time: 55.5 ns
Factory Pack Quantity: 1000 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Power MOSFET Typical Turn-Off Delay Time: 28.6 ns
Typical Turn-On Delay Time: 21.6 ns

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The STP100N6F7 is a power MOSFET chip designed for high-performance applications. It is capable of handling high voltage and current levels efficiently, making it suitable for power management tasks. This chip provides low on-resistance, fast switching, and excellent thermal performance. It is commonly used in various electronic devices and circuits that require efficient power control and management.
  • Features

    The STP100N6F7 is a power MOSFET transistor. It features a voltage rating of 60V, a drain current of 100A, and a low on-resistance. It is designed for use in automotive applications, industrial control, and power management systems.
  • Pinout

    The STP100N6F7 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. It functions as a power transistor for high energy efficiency systems with a maximum power dissipation of 100W.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the STP100N6F7 is STMicroelectronics. STMicroelectronics is a multinational semiconductor company that designs, develops, and manufactures a wide range of electronic products. They are known for their expertise in producing semiconductors used in various applications, such as industrial, automotive, and consumer electronics.
  • Application Field

    The STP100N6F7 is a power MOSFET transistor designed for high voltage and power applications. It can be used in various applications such as power supplies, motor control, industrial equipment, and automotive systems. Its high voltage and power handling capabilities make it suitable for demanding applications that require efficient power switching and control.
  • Package

    The STP100N6F7 chip is in a TO-220 package type, has a single form (Single Transistor), and the size is approximately 10mm x 15mm x 4.5mm.

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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