Bilder dienen nur zur Referenz. Siehe Produktspezifikationen.
Bestellungen über
$5000STP30NM30N
High Power N-Channel MOSFET with 300V Voltage Rating and 30A Current Handling Capacity
Marken: STMicroelectronics
Herstellerteil #: STP30NM30N
Datenblatt: STP30NM30N Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
STP30NM30N Allgemeine Beschreibung
Featuring a voltage rating of 300V and a continuous drain current of 30A, the STP30NM30N N-channel Power MOSFET transistor is a high-performance component designed for power management applications. Its low on-resistance of 0.05 ohms enables efficient power dissipation and minimal heat generation, making it well-suited for use in power supplies, motor control, and other high-speed switching circuits. With a low gate charge of 40nC, this transistor allows for fast switching speeds and reduces overall power loss in the circuit. Housed in a TO-220 package, it offers good thermal performance and easy mounting on a PCB, addressing practical concerns in circuit design and assembly. Additionally, the STP30NM30N has a high avalanche energy rating of 300mJ, ensuring its durability and reliability in the face of short circuits and transient events. The built-in diodes provide protection against back EMF in inductive loads, further enhancing the safety and resilience of the device in real-world applications. With a gate-source voltage (VGS) of ±20V and a threshold voltage (VGS(th)) of 2-4V, this transistor delivers consistent and efficient performance in a variety of power management scenarios
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | STMicroelectronics | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 300 V | Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Minimum Operating Temperature: | - 65 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 160 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Series: | STP30NM30N | Packaging: | Tube |
| Brand: | STMicroelectronics | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 25 ns | Height: | 9.15 mm |
| Length: | 10.4 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 25 ns | Factory Pack Quantity: | 50 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Width: | 4.6 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
 |
REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.
Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
 |
Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
 |
Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
 |
Western Union | charge US.00 banking fee. |
 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
Garantien
1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.
2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.
Verpackung
-
![Produkt]( "Produkt")
Schritt1 :Produkt
-
![Vakuumverpackung]( "Vakuumverpackung")
Schritt2 :Vakuumverpackung
-
![Antistatikbeutel]( "Antistatikbeutel")
Schritt3 :Antistatikbeutel
-
![Individuelle Verpackung]( "Individuelle Verpackung")
Schritt4 :Individuelle Verpackung
-
![Verpackungskartons]( "Verpackungskartons")
Schritt5 :Verpackungskartons
-
![Barcode-Versandetikett]( "Barcode-Versandetikett")
Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
-
STP30NM30N is a high-performance N-channel MOSFET transistor chip designed for power management applications. It has a voltage rating of 300V and a maximum current rating of 30A, making it suitable for high-power loads. The chip also features low on-resistance and fast switching speeds, making it an ideal choice for efficient power control and conversion.
-
Equivalent
The equivalent products of STP30NM30N chip are SEMITOP Package MOSFETs such as STP30NE06L, STP36NE06, and STP45NF06L. These devices are also N-channel Power MOSFETs with similar electrical and thermal characteristics that can be used as drop-in replacements for STP30NM30N. -
Features
STP30NM30N is a N-channel power MOSFET with a voltage rating of 300V and a continuous drain current of 30A. It has low on-resistance for efficient power management, high ruggedness, and fast switching speeds. Its features make it suitable for a wide range of power applications. -
Pinout
The STP30NM30N is a N-channel Power MOSFET with a pin count of 3. The functions of the pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is designed for use in power management applications with a high efficiency and low on-resistance. -
Manufacturer
STP30NM30N is manufactured by STMicroelectronics, a multinational semiconductor company based in Switzerland. STMicroelectronics specializes in manufacturing a wide range of semiconductor products for various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. The company is known for its high-quality and innovative semiconductor solutions for a variety of applications. -
Application Field
STP30NM30N is typically used in electronic devices requiring high-voltage switching applications such as power supplies, motor control, and inverters. It is also suitable for automotive and industrial applications due to its high power capability and efficiency. -
Package
The STP30NM30N chip is a power MOSFET transistor with a TO-220 package type, through-hole mounting style, and a size of 10mm x 5mm x 3mm. It can handle a maximum voltage of 30V and a maximum current of 30A.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
-
![Produkt]( "Produkt")
Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
-
![quantity]( "quantity")
Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
-
![shipping]( "shipping")
Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
-
![Garantie]( "Garantie")
365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte
