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$5000vishay SUP70101EL-GE3
100V P-Channel MOSFET with 120A Rating
Marken: Vishay
Herstellerteil #: SUP70101EL-GE3
Datenblatt: SUP70101EL-GE3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO220-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SUP70101EL-GE3 Allgemeine Beschreibung
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Funktionen
- Industry-leading power efficiency
- Compact and reliable design
- Economical power consumption
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
| Technology: | Si | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 | Transistor Polarity: | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 120 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.4 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge: | 125 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 375 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Series: | SUP |
| Packaging: | Tube | Brand: | Vishay Semiconductors |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 40 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 40 ns | Factory Pack Quantity: | 500 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Unit Weight: | 0.068784 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Zahlung
| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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 |
Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The SUP70101EL-GE3 chip is a power management IC (PMIC) manufactured by Vishay Intertechnology. It's designed for use in various applications, including portable devices, industrial equipment, and automotive systems. The chip offers efficient power management solutions, integrating multiple functions such as voltage regulation, battery charging, and power sequencing, contributing to improved performance and reliability in electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of SUP70101EL-GE3 chip are FHP66101EL and FHG 42102EL BJ. These chips are also high-voltage MOSFETs suitable for use in automotive applications. -
Features
- High efficiency GaN power transistor - Operating frequency up to 6GHz - Power density up to 14W/mm - Low thermal resistance - Suitable for use in RF power amplifiers, small cell and DAS applications - Can handle high voltage operation up to 24V - RoHS compliant and halogen-free -
Pinout
The SUP70101EL-GE3 is a quad-channel PIN photodiode with a pin count of 5. Pin functions include Vcc (Power supply), GND (Ground), and 4 channels for photodiode outputs. It is used for optical communication and sensing applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the SUP70101EL-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that specializes in the design, manufacture, and distribution of electronic components such as discrete semiconductors and passive components. They serve a wide range of industries including aerospace, automotive, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
The SUP70101EL-GE3 is a high-performance gallium nitride (GaN) power transistor designed for use in high-speed power conversion applications such as power supplies, adapters, motor drives, and renewable energy systems. It offers improved efficiency, lower energy consumption, and higher power density compared to traditional silicon-based transistors. -
Package
The SUP70101EL-GE3 chip comes in a surface-mount package type with a QFN form. It has dimensions of 3mm x 3mm and a package size of 10mm x 10mm.
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