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ZXMN3A01FTA
Trans MOSFET N-CH 30V 1.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Marken: Diodes Incorporated
Herstellerteil #: ZXMN3A01FTA
Datenblatt: ZXMN3A01FTA Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.257 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 5 | $0,221 | $1,105 |
| 50 | $0,192 | $9,600 |
| 150 | $0,179 | $26,850 |
| 500 | $0,126 | $63,000 |
| 3000 | $0,119 | $357,000 |
| 6000 | $0,115 | $690,000 |
Auf Lager: 6.257 Stck
ZXMN3A01FTA Allgemeine Beschreibung
N-Channel 30 V 1.8A (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Funktionen
- Low On-Resistance
- Fast Switching Speed
- Low Threshold
- Low Gate Drive
- Small Surface Mount Package
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 2.5A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.9 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 625mW (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 | Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Base Product Number | ZXMN3 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The ZXMN3A01FTA is a high-performance N-channel MOSFET transistor designed for use in power management applications. It has a low on-state resistance and high current-handling capability, making it ideal for use in power supplies, motor control, and other high-power applications. Its compact size and high efficiency make it a popular choice for electronic devices requiring high power performance in a small form factor.
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Equivalent
Some equivalent products of the ZXMN3A01FTA chip are IRF1010EZS, SI5509DC-T1-E3, and IRL3803PBF. These chips provide similar functionality and can be used as alternative options in circuit designs. -
Features
ZXMN3A01FTA is a high performance N-channel enhancement mode power MOSFET transistor. It has a low on-resistance, high current capability, fast switching speed, and low gate drive voltage. It is suitable for high power applications such as voltage regulators, power management, and motor control circuits. -
Pinout
The ZXMN3A01FTA is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has a pin count of 8, with the functions of two gate pins, two source pins, two drain pins, and two body diode pins. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of ZXMN3A01FTA is Diodes Incorporated. It is a leading global manufacturer and supplier of discrete, analog, and mixed-signal semiconductor products for a wide variety of markets including automotive, consumer electronics, computing, communication, and industrial applications. -
Application Field
ZXMN3A01FTA is commonly used in applications requiring high-speed switching such as DC-DC converters, power supplies, motor control, and high-frequency inverters. It is also used in automotive, industrial, and consumer electronics applications due to its high efficiency and low power loss characteristics. -
Package
The ZXMN3A01FTA chip is in a DFN1006B-3 (SOT-883B) package. It is a surface mount form with dimensions of 1.0mm x 0.6mm x 0.4mm.
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