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$5000ZXMP10A18GTA
ZXMP10A18GTA is a Power Field-Effect Transistor with a current rating of 2
Marken: Diodes Incorporated
Herstellerteil #: ZXMP10A18GTA
Datenblatt: ZXMP10A18GTA Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-223-4
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.357 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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ZXMP10A18GTA Allgemeine Beschreibung
P-Channel 100 V 2.6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Funktionen
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- SOT223 package
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | REACH | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3.7 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 26.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 3.9 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | ZXMP10A |
| Brand | Diodes Incorporated | Configuration | Single |
| Fall Time | 17.9 ns | Forward Transconductance - Min | 6 S |
| Height | 1.65 mm | Length | 6.7 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 6.8 ns |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 33.9 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 4.6 ns | Width | 3.7 mm |
| Unit Weight | 0.003951 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The ZXMP10A18GTA is a low on-resistance enhancement mode MOSFET transistor chip designed to handle high power and voltage levels. It is commonly used in power management and switching applications due to its high efficiency and reliability. The chip is compact in size and features a fast switching speed, making it ideal for various electronic designs.
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Equivalent
The equivalent products of ZXMP10A18GTA chip are Fairchild FDB8442, Infineon BSC0922ND, NXP BSN10-18 and ON Semiconductor NTMFS4C03N. -
Features
ZXMP10A18GTA is a high-performance GaN transistor with a frequency range of DC to 18 GHz. It features high gain, high power output, and high efficiency, making it ideal for applications in radar systems, communication systems, and electronic warfare. It also has a small footprint and operates at high temperatures. -
Pinout
The ZXMP10A18GTA is a N-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 3. The functions of its pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is typically used for power management applications in portable electronics and battery-powered devices. -
Manufacturer
ZXMP10A18GTA is manufactured by ZTE Corporation, a Chinese multinational telecommunications equipment and systems company. ZTE focuses on providing a wide range of products and services including carrier networks, terminals, and telecommunication software. They also deliver solutions for mobile networks, broadband, and enterprise networks, serving customers in over 160 countries. -
Application Field
The ZXMP10A18GTA is a power transistor commonly used in various applications such as RF power amplifiers, radar systems, cellular base stations, and other high-power RF applications. Its high power output, efficiency, and reliability make it ideal for demanding communication and radar systems. -
Package
The ZXMP10A18GTA chip is packaged in a TO-247 form with a size of 10.45mm x 15.77mm x 4.13mm. The package type is a through-hole power MOSFET.
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