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$5000ZXMN4A06GTA
Transistor made by ZXMN4A06GTA
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Marken: DIODES INC
Herstellerteil #: ZXMN4A06GTA
Datenblatt: ZXMN4A06GTA Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-223-4
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.215 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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ZXMN4A06GTA Allgemeine Beschreibung
The ZXMN4A06GTA is a N Channel MOSFET transistor with a SOT-223 case style, designed for automotive applications. It has a continuous drain current (Id) of 7A and a drain source voltage (Vds) of 40V, making it suitable for a wide range of power management and switching applications. With an on resistance (Rds(on)) of 0.05ohm and a maximum power dissipation (Pd) of 3.9W, this transistor offers efficient performance in high power scenarios. Its compact 4 pin design and surface mount termination type make it easy to integrate into compact PCB layouts. With an operating temperature range of -55°C to +150°C, this MOSFET is capable of withstanding extreme temperature variations, making it suitable for automotive and industrial environments
Funktionen
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
- SOT223 package
Anwendung
SWITCHINGSpezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Pbfree Code | No | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | DIODES INC |
Part Package Code | SOT-223 | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
Pin Count | 4 | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 50 Weeks |
Samacsys Manufacturer | Diodes Inc. | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 40 V |
Drain Current-Max (ID) | 5 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.05 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 61 pF |
JESD-30 Code | R-PDSO-G4 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 4 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 2 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 22 A | Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The ZXMN4A06GTA is a N-channel enhancement mode MOSFET designed for high power applications. It features a low on-resistance, high current handling capability, and low gate threshold voltage. This chip is commonly used in switching circuits, power supplies, and motor control applications.
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Equivalent
The equivalent products of the ZXMN4A06GTA chip are IRF7468PBF, NTMFS4C06N, and FDS6680A. These chips are all N-channel MOSFETs commonly used in high-power applications such as power supplies, motor control, and DC-DC converters. -
Features
1. N-channel MOSFET with low on-resistance 2. VDS = 40V, ID = 3A 3. Low gate threshold voltage 4. Fast switching speed 5. Excellent thermal performance 6. Suitable for use in power management applications -
Pinout
The ZXMN4A06GTA is a N-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 3 (source, gate, drain). It is commonly used for general purpose switching applications and operates at a maximum voltage of 60V and a current of 4A. -
Manufacturer
ZXMN4A06GTA is manufactured by Diodes Incorporated. Diodes Incorporated is a leading global manufacturer and supplier of semiconductor products, specializing in discrete, logic, and analog products. They serve a wide range of industries including automotive, consumer electronics, and industrial markets, providing innovative solutions for various applications. -
Application Field
ZXMN4A06GTA is commonly used in low voltage applications such as load switch, power management and DC-DC converter circuits. It is suitable for use in portable devices, battery-powered devices, and other consumer electronics where efficient power management is needed. -
Package
The ZXMN4A06GTA chip is a surface-mount transistor in a SOT223 package. It has a form factor of 3.7mm x 6.7mm and a height of 2.1mm. The package contains a single N-channel MOSFET with a 5A maximum continuous drain current and a 60V maximum drain-source voltage.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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