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ZXMN4A06GTA

Transistor made by ZXMN4A06GTA

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: DIODES INC

Herstellerteil #: ZXMN4A06GTA

Datenblatt: ZXMN4A06GTA Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: SOT-223-4

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 5.215 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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ZXMN4A06GTA Allgemeine Beschreibung

The ZXMN4A06GTA is a N Channel MOSFET transistor with a SOT-223 case style, designed for automotive applications. It has a continuous drain current (Id) of 7A and a drain source voltage (Vds) of 40V, making it suitable for a wide range of power management and switching applications. With an on resistance (Rds(on)) of 0.05ohm and a maximum power dissipation (Pd) of 3.9W, this transistor offers efficient performance in high power scenarios. Its compact 4 pin design and surface mount termination type make it easy to integrate into compact PCB layouts. With an operating temperature range of -55°C to +150°C, this MOSFET is capable of withstanding extreme temperature variations, making it suitable for automotive and industrial environments

Funktionen

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Low threshold
  • Low gate drive
  • SOT223 package

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Pbfree Code No Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer DIODES INC
Part Package Code SOT-223 Package Description SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Pin Count 4 Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 50 Weeks
Samacsys Manufacturer Diodes Inc. Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (ID) 5 A Drain-source On Resistance-Max 0.05 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 61 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G4 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 4 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 22 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The ZXMN4A06GTA is a N-channel enhancement mode MOSFET designed for high power applications. It features a low on-resistance, high current handling capability, and low gate threshold voltage. This chip is commonly used in switching circuits, power supplies, and motor control applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the ZXMN4A06GTA chip are IRF7468PBF, NTMFS4C06N, and FDS6680A. These chips are all N-channel MOSFETs commonly used in high-power applications such as power supplies, motor control, and DC-DC converters.
  • Features

    1. N-channel MOSFET with low on-resistance 2. VDS = 40V, ID = 3A 3. Low gate threshold voltage 4. Fast switching speed 5. Excellent thermal performance 6. Suitable for use in power management applications
  • Pinout

    The ZXMN4A06GTA is a N-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 3 (source, gate, drain). It is commonly used for general purpose switching applications and operates at a maximum voltage of 60V and a current of 4A.
  • Manufacturer

    ZXMN4A06GTA is manufactured by Diodes Incorporated. Diodes Incorporated is a leading global manufacturer and supplier of semiconductor products, specializing in discrete, logic, and analog products. They serve a wide range of industries including automotive, consumer electronics, and industrial markets, providing innovative solutions for various applications.
  • Application Field

    ZXMN4A06GTA is commonly used in low voltage applications such as load switch, power management and DC-DC converter circuits. It is suitable for use in portable devices, battery-powered devices, and other consumer electronics where efficient power management is needed.
  • Package

    The ZXMN4A06GTA chip is a surface-mount transistor in a SOT223 package. It has a form factor of 3.7mm x 6.7mm and a height of 2.1mm. The package contains a single N-channel MOSFET with a 5A maximum continuous drain current and a 60V maximum drain-source voltage.

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