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Microchip 2N2919
This TO-78 transistor has a gain rating of 150 at 1mA of current, making it suitable for a variety of applications
Marken: Microchip
Herstellerteil #: 2N2919
Datenblatt: 2N2919 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-78-6 Metal Can
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Bipolar Transistor Arrays
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $24,309 | $24,309 |
| 200 | $9,701 | $1940,200 |
| 500 | $9,376 | $4688,000 |
| 1000 | $9,215 | $9215,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
2N2919 Allgemeine Beschreibung
The 2N2919 is a silicon NPN transistor widely used in high-frequency amplifier circuits and switching applications. It has a maximum operating frequency of 500 MHz and a maximum power dissipation of 400 mW. The transistor has a maximum collector current of 600 mA and a maximum collector-base voltage of 40 V.The 2N2919 transistor comes in a TO-18 package with three leads for easy mounting on circuit boards. It has a low noise figure and high amplification factor, making it ideal for use in radio frequency applications.This transistor is known for its high reliability and long operating life, making it a popular choice among electronic hobbyists and professionals. Its small size and low cost also contribute to its widespread use in various electronic projects.
Funktionen
- High frequency amplifier
- NPN silicon transistor
- Low noise figure
- Low power consumption
- High current gain
- High transition frequency
- Available in TO-39 package
- Suitable for RF amplification and oscillation applications
Anwendung
- Amplification in high-frequency applications
- RF signal amplification
- Crystal oscillator circuits
- Transistor amplifier circuits
- Audio amplification
- Signal processing circuits
- Tunable bandpass filters
- Wideband RF amplifiers
- Mixers and modulators
- Frequency multipliers
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | RoHS | N |
| Brand | Microchip Technology | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | Transistors |
| Technology | Si |
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Teilpunkte
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The 2N2919 is a silicon NPN transistor commonly used for amplification and switching applications. It has a maximum collector current of 800mA and a maximum power dissipation of 625mW. The transistor is housed in a TO-39 metal can package and features a high current gain and low saturation voltage. Overall, it is a versatile and widely used transistor for various electronic circuits.
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Equivalent
The equivalent products of the 2N2919 chip are the NTE123AP, PNP Silicon Complementary Transistor, and the MMBT3906LT1G, PNP Silicon Complementary Transistor. -
Features
The 2N2919 is a bipolar junction transistor (BJT) with a PNP configuration. It has a maximum collector current of 600mA, a collector-emitter voltage rating of 40V, and a maximum power dissipation of 625mW. It is commonly used in low-power switching applications and amplification circuits. -
Pinout
The 2N2919 is a bipolar junction transistor (BJT) with 3 pins. The pin count includes a base (B), collector (C), and emitter (E). The B pin acts as the input, the C pin is the output, and the E pin is the common terminal for both input and output. -
Manufacturer
The manufacturer of the 2N2919 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a company that specializes in the development and production of semiconductor devices. -
Application Field
The 2N2919 is a small-signal NPN transistor primarily used in high-frequency amplifier, oscillator, and switching applications. It is commonly employed in radio frequency (RF) circuits, communication devices, and audio equipment due to its high gain and low noise characteristics. -
Package
The package type of the 2N2919 chip is TO-39. The form is NPN transistor and it has a small size.
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