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Microchip APT10021JLL
N-Channel 1000 V 37A (Tc) 694W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Marken: Microchip
Herstellerteil #: APT10021JLL
Datenblatt: APT10021JLL Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: ISOTOP®
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $268,560 | $268,560 |
| 200 | $107,158 | $21431,600 |
| 500 | $103,576 | $51788,000 |
| 1000 | $101,808 | $101808,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
APT10021JLL Allgemeine Beschreibung
Power MOS 8™ is a family of high speed, high voltage (500-1200 V) N-channelswitch-mode power transistors with lower EMI characteristics and lower costcompared to previous generation devices. These MOSFETs / FREDFETs have beenoptimized for both hard and soft switching in high frequency, high voltageapplications rated above 500 W.
The Power MOS 8™ series is a result of extensive research into quiet switching.Input and reverse transfer capacitance values as well as their ratio were setat specific values to achieve quiet switching with minimal switching loss. ThePower MOS 8™ series of devices are inherently quiet switching, stable whenconnected in parallel, very efficient, and lower cost than previousgenerations.
Power MOS 7® is a family of low loss, high voltage, N-Channel enhancementmode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed withPower MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7® combineslower conduction and switching losses along with exceptionally fast switchingspeeds.
Power MOS V® can still provide the best trade-off between performance andcost in some applications. Power MOS V® utilizes a low resistance aluminummetal gate structure. This allows for faster gate signal propagation than ispossible with conventional polysilicon gate structures. The result is extremelylow internal chip equivalent gate resistances (EGR) that are up to an order ofmagnitude lower than competitive devices which enables uniform high speedswitching across the entire chip.
Body Diode Options
MOSFETs and FREDFETs are available in all voltage ratings. A FREDFET is aMOSFET with a faster recovery intrinsic body diode. This results in improvedreliability in ZVS circuits due to shorter minority carrier lifetime andincreased commutation dv/dt ruggedness. If a fast recovery body diode is notneeded, MOSFET versions are available.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Microchip | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Technology: | Si | Packaging: | Tube |
| Brand: | Microchip Technology | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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APT10021JLL chip is a semiconductor device developed by Advanced Power Electronics Corp. It is a high voltage power MOSFET that provides efficient and reliable switching applications. With a compact design and low on-resistance, it is suitable for various power management needs. The chip offers high-performance characteristics, making it ideal for industrial, automotive, and consumer electronic applications.
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Equivalent
The equivalent products to the APT10021JLL chip are the APT10021JLD, APT10021JRD, APT10022LLL, APT10022LLG, APT10022LRT, APT10022RLG, APT10021LVR, and APT10021RVR chips. -
Pinout
The APT10021JLL is a Power MOS 7® RF N-Channel Enhancement Mode Lateral MOSFET with a pin count of 4. Pin functions include drain, gate, source, and gate protection. It is used for high voltage applications in RF power amplifiers, wireless infrastructure, and radar systems. -
Application Field
The APT10021JLL is an advanced power module suitable for a wide range of high voltage applications, including industrial automation, medical devices, telecommunications, electric vehicles, and renewable energy systems. With its compact size and excellent performance, it enables efficient power conversion and control in various fields.
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