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2SCR523MT2L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, VMT3, 3 PIN
Marken: ROHM Semiconductor
Herstellerteil #: 2SCR523MT2L
Datenblatt: 2SCR523MT2L Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-723-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.695 Stück, Neues Original
Produktart: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 20 | $0,023 | $0,460 |
| 200 | $0,020 | $4,000 |
| 600 | $0,019 | $11,400 |
| 2000 | $0,018 | $36,000 |
| 8000 | $0,017 | $136,000 |
| 16000 | $0,016 | $256,000 |
Auf Lager: 7.695 Stck
2SCR523MT2L Allgemeine Beschreibung
The 2SCR523MT2L is a high-performance NPN transistor designed for a wide range of electronic applications. With a collector-emitter voltage V(br)ceo of 50V and a transition frequency ft of 350MHz, this transistor offers reliable and efficient performance in various circuit designs. The transistor has a power dissipation Pd of 150mW and a DC collector current of 100mA, making it suitable for low to medium power applications. The DC current gain hFE is 120hFE, providing ample amplification for signal processing tasks. The SOT-723 case style and 3 pins make it easy to integrate into circuit boards and other electronic assemblies. With an operating temperature range of up to 150°C, this transistor can withstand harsh environmental conditions, making it suitable for automotive and industrial applications. The 2SCR523MT2L is compliant with MSL 1 - Unlimited standards and does not contain any SVHC (Substances of Very High Concern), making it a safe and reliable choice for electronic designs
Funktionen
- 1) Suitable for Middle Power Driver.
- 2) Low VCE(sat)
- VCE(sat)=350mV(Max.).
- (IC/IB=3A/150mA)
- 3) High collector current.
- IC=6A(max),ICP=12A(max)
- 4) Leadless small SMD package (HUML2020L3)
- Excellent thermal and electrical conductivity.
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-723-3 | Transistor Polarity | NPN |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 100 mV | Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW | Gain Bandwidth Product fT | 350 MHz |
| Minimum Operating Temperature | - | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | 2SCR523M | Brand | ROHM Semiconductor |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 120 | DC Current Gain hFE Max | 560 |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 8000 |
| Subcategory | Transistors | Technology | Si |
| Part # Aliases | 2SCR523M |
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