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$5000IDH04G65C5
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC, TO-220, 2 PIN
Marken: Infineon Technologies
Herstellerteil #: IDH04G65C5
Datenblatt: IDH04G65C5 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-220-2
RoHS-Status:
Lagerzustand: 7.364 Stück, Neues Original
Produktart: Single Diodes
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $2,285 | $2,285 |
200 | $0,884 | $176,800 |
500 | $0,854 | $427,000 |
1000 | $0,838 | $838,000 |
Auf Lager: 7.364 Stck
IDH04G65C5 Allgemeine Beschreibung
The IDH04G65C5 is a cutting-edge product from Infineon, offering a new level of performance in the realm of Schottky diodes. With a voltage rating of 600V and a current rating of 2A, this diode is designed to excel in a variety of applications. The innovative technology behind this diode includes Infineon's proprietary diffusion soldering process, which has been enhanced in this fifth generation product. This process, combined with a more compact design and thin wafer technology, results in a product line that boasts improved efficiency across all load conditions. The thermal characteristics have been optimized for better performance, and the figure of merit (Q c x V f) has been lowered to enhance overall functionality
Funktionen
- Vbr at 650V
- Improved Figure of Merit (Qc x Vf)
- No reverse recovery charge
- Soft switching reverse
- recovery waveform
- Temperature independent
- switching behavior
- High operating temperature
- (Tj max 175°C)
- Improved surge capability
- Pb-free lead plating
- 10 years manufacturing of SiC diodes
- Benefts
- Higher safety margin against
- Overvoltage; best match with
- CoolMOS™ 650V products
- Improved efciency over all
- load conditions
- Increased efciency compared to
- Silicon Diode alternatives
- Reduced EMI compared to snappier
- Silicon diode reverse recovery
- waveform
- Highly stable switching performance
- Reduced cooling requirements
- Reduced risks of thermal runaway
- RoHS compliant
- High quality know-how and capacity
- in SiC diode manufacture
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Series | CoolSiC™+ | Package | Tube |
Product Status | Discontinued at Digi-Key | Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V | Current - Average Rectified (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 4 A | Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns | Current - Reverse Leakage @ Vr | 140 µA @ 650 V |
Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz | Mounting Type | Through Hole |
Package / Case | TO-220-2 | Supplier Device Package | PG-TO220-2-2 |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage | |
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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