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IXDH20N120D1 48HRS

IXDH20N120D1 IGBT transistors, capable of 20 Amps and designed for 1200 Volts

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: IXYS

Herstellerteil #: IXDH20N120D1

Datenblatt: IXDH20N120D1 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-247-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7.056 Stück, Neues Original

Produktart: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $12,685 $12,685
210 $5,063 $1063,230
510 $4,893 $2495,430
990 $4,809 $4760,910

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IXDH20N120D1 Allgemeine Beschreibung

Meet the IXDH20N120D1: the dual IGBT module designed for high power applications. With a current rating of 20A and a voltage rating of 1200V, this module is a powerhouse for various high power electronic systems. Built with advanced insulated gate bipolar transistor (IGBT) technology, it combines the ease of control of a MOSFET with the high current handling capability of a bipolar transistor, ensuring efficient switching and high power handling capacity. The IXDH20N120D1 also features a low saturation voltage, reducing power dissipation and improving overall efficiency, as well as a fast switching speed for high-frequency operation and precise control of power delivery. Equipped with built-in protective features such as overcurrent and overtemperature protection, this module ensures reliable and safe operation in demanding environments

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Package Tube Product Status Obsolete
IGBT Type NPT Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max) 38 A Current - Collector Pulsed (Icm) 50 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A Power - Max 200 W
Switching Energy 3.1mJ (on), 2.4mJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 70 nC Test Condition 600V, 20A, 82Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 40 ns Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package TO-247AD

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

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  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
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Teilpunkte

  • IXDH20N120D1 is a high-power, high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for use in power electronic applications where high efficiency and fast switching speeds are required. It operates at a voltage rating of 1200V and a current rating of 20A, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the IXDH20N120D1 chip are IXYS IXGH20N120B2D1, Infineon IHB30N120R3, and STMicroelectronics STW24N1200. These products offer similar features and performance capabilities for power applications.
  • Features

    - High voltage (1200V) and current (20A) capability - Low conduction and switching losses - Soft recovery diode for reduced EMI - Compact TO-247 package for easy mounting - Temperature and overcurrent protection - Suitable for industrial, motor control, and renewable energy applications
  • Pinout

    The IXDH20N120D1 is a Dual IGBT Driver with a pin count of 24. It is designed to control and drive IGBT modules in applications such as motor drives and renewable energy systems. It provides high current and voltage capability for optimal performance and protection.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IXDH20N120D1 is IXYS Corporation. IXYS Corporation is a semiconductor company that designs, manufactures, and markets power semiconductors, integrated circuits, and power systems for energy-efficient devices across various industries, including industrial, automotive, telecommunications, and consumer electronics.
  • Application Field

    The IXDH20N120D1 is commonly used in applications such as motor controls, power supplies, inverters, and induction heating systems. It is ideal for high power switching applications that require high performance and efficiency, such as industrial equipment and renewable energy systems.
  • Package

    The IXDH20N120D1 chip comes in a TO-247 package type, with a tube form factor, and dimensions of 30.58mm x 13.70mm x 5.21mm.

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