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IXDN55N120D1
450W N-Channel Transistor Module
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXDN55N120D1
Datenblatt: IXDN55N120D1 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4,miniBLOC
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.036 Stück, Neues Original
Produktart: IGBT Modules
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $79,792 | $79,792 |
| 200 | $31,838 | $6367,600 |
| 500 | $30,775 | $15387,500 |
| 1000 | $30,249 | $30249,000 |
Auf Lager: 9.036 Stck
IXDN55N120D1 Allgemeine Beschreibung
Designed for high-power applications, the IXDN55N120D1 transistor features a single continuous collector current of 100A and a collector-emitter voltage rating of 1.2kV. With a maximum collector-emitter saturation voltage of 2.8V and an emitter leakage current of 500nA, this transistor offers high performance and reliability. The power dissipation rating of 450W ensures that the transistor can handle demanding loads with ease. A gate emitter voltage of 20V allows for precise control over the transistor's switching characteristics, making it ideal for applications that require accurate switching. The transistor operates within a wide temperature range of -40°C to 150°C, ensuring reliable performance in a variety of environments. The SOT-227B package type with 4 pins and SMD mounting type offers easy integration into electronic systems
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Package | Tube | Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT | Configuration | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Power - Max | 450 W | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 55A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 3.8 mA | Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.3 nF @ 25 V |
| Input | Standard | NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC | Supplier Device Package | SOT-227B |
| Base Product Number | IXDN55 |
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