Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Für weitere Informationen werfen Sie bitte einen Blick auf unsere Datenschutzrichtlinie.

Bestellungen über

$5000
erhalten $50 einen Rabatt !

IXFB110N60P3 48HRS

Compact N-channel MOSFET solution for efficient designs

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: Littelfuse

Herstellerteil #: IXFB110N60P3

Datenblatt: IXFB110N60P3 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: PLUS-264-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $19,332 $19,332
200 $7,482 $1496,400
500 $7,218 $3609,000
1000 $7,089 $7089,000

Auf Lager: 9.458 Stck

- +

Schnelles Angebot

Bitte senden Sie eine Anfrage für IXFB110N60P3 oder senden Sie uns eine E-Mail: E-Mail: [email protected], Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden kontaktieren.

IXFB110N60P3 Allgemeine Beschreibung

The IXFB110N60P3 is a cutting-edge semiconductor device from the PolarP3™ HiPerFET™ product family, designed to deliver exceptional performance and efficiency in high-power applications. With a focus on reducing on-state resistance (Rdson), gate charge (Qg), and maximizing power dissipation (Pd), this device offers a significant improvement in power density and thermal management. By incorporating advanced technology and innovative design features, the IXFB110N60P3 provides a reliable and cost-effective solution for demanding power management requirements

Funktionen

  • IXFB110N60P3 is a 600V, 110A IGBT power module with P3 technology
  • It features low thermal resistance, high power density, and higher efficiency
  • The module includes UL certification, pressure contact technology to improve reliability, and integrated temperature sensor
  • It is suitable for motor drives, solar inverters, UPS, and other high-power applications requiring high performance and reliability
  • Anwendung

    • Low on-state resistance
    • Perfect for high-power systems
    • Consistent high performance

    Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Drain-Source Voltage (V) 600 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.056
    Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 110 Gate Charge (nC) 254
    Input Capacitance, CISS (pF) 18000 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.066
    Configuration Single Package Type TO-264 PLUS
    Power Dissipation (W) 1890 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
    Sample Request Yes

    Versand

    Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
    DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
    Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
    UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
    TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
    EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
    REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

    Bearbeitungszeit: Die Versandkosten hängen von der jeweiligen Zone und dem Land ab.

    Zahlung

    Zahlungsbedingungen Handgebühr
    Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
    Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
    Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
    Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
    Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

    Garantien

    1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

    2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

    Verpackung

    • Produkt

      Schritt1 :Produkt

    • Vakuumverpackung

      Schritt2 :Vakuumverpackung

    • Antistatikbeutel

      Schritt3 :Antistatikbeutel

    • Individuelle Verpackung

      Schritt4 :Individuelle Verpackung

    • Verpackungskartons

      Schritt5 :Verpackungskartons

    • Barcode-Versandetikett

      Schritt6 :Barcode-Versandetikett

    Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

    Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

    Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

    Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

    • ESD
    • ESD

    Teilpunkte

    • The IXFB110N60P3 is a high-power MOSFET chip designed for use in power electronics applications. It features a low on-state resistance, high current capacity, and high switching speed, making it suitable for use in high-power inverters, motor drives, and power supplies. With a voltage rating of 600V and a current rating of 110A, this chip is ideal for high-power, high-efficiency applications.
    • Equivalent

      Some equivalent products of IXFB110N60P3 chip are Infineon IPW60R041CFD and Fairchild FDMS7698. They are both power MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. These alternatives can be used as substitutes for the IXFB110N60P3 chip in various applications.
    • Features

      1. Rated voltage: 600V 2. Continuous drain current: 110A 3. Ultra-fast body diode 4. Low turn-off losses 5. Low gate charge 6. Avalanche energy rating of 900mJ 7. High ruggedness and reliability 8. Suitable for various power switching applications
    • Pinout

      The IXFB110N60P3 has a pin count of 3 and is a high-current (110A) IGBT power module with a voltage rating of 600V. It is commonly used in motor drives, inverters, and power supplies due to its high power handling capability.
    • Manufacturer

      IXYS is the manufacturer of the IXFB110N60P3. IXYS Corporation is a global company that specializes in the design, development, and manufacture of power semiconductors used in a variety of applications including industrial, communications, aerospace, and automotive industries. They offer a range of high-performance and reliable products for efficient power management and control.
    • Application Field

      The IXFB110N60P3 is commonly used in applications such as motor drives, uninterruptible power supplies (UPS), renewable energy systems, and industrial power supplies. Its low on-state voltage drop and high current capability make it ideal for high-power applications where efficiency and reliability are critical.
    • Package

      The IXFB110N60P3 chip comes in a TO-220 package type, with a through-hole mounting form. It has a size of approximately 10.3mm x 4.9mm x 9.65mm (L x W x H).

    Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

    • Produkt

      Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

    • quantity

      Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

    • shipping

      Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

    • Garantie

      365 Tage Qualitätsgarantie für alle Produkte

    Bewertungen und Rezensionen

    Bewertungen
    Bitte bewerten Sie das Produkt!
    Bitte geben Sie einen Kommentar ein

    Bitte geben Sie Kommentare ab, nachdem Sie sich in Ihrem Konto angemeldet haben.

    Einreichen

    Empfehlen

    • AO4292E

      AO4292E

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      High-quality 100V 8A SOIC-8 MOSFET with 23mΩ resi...

    • VQ1004P

      VQ1004P

      Vishay

      VQ1004P by Siliconix

    • STS4DPF30L

      STS4DPF30L

      Stmicroelectronics

      Dual P-channel MOSFET Transistor STS4DPF30L featur...

    • STS9D8NH3LL

      STS9D8NH3LL

      STMicroelectronics

      Dual N-channel 30V MOSFET, with 0.012 Ohm resistan...

    • RFP30P05

      RFP30P05

      Onsemi

      MOSFET Power P-Channel TO-220AB

    • NE3210S01-T1B

      NE3210S01-T1B

      Cel

      High-Frequency NE3210S01-T1B Transistor: Incorpora...