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IXFB30N120P
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFB30N120P
Datenblatt: IXFB30N120P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PLUS-264-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 30 | $40,313 | $1209,390 |
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IXFB30N120P Allgemeine Beschreibung
Polar™ HiPerFETs (IXF) combine the strengths of the Polar Standard product family with a faster body diode, whose reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of HiPerFETs provides lowest RDS(on),low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability.
Funktionen
- International Standard Packages
- Dynamic dv/dt Rating
- Avalanche Rated
- Fast Intrinsic Rectifier
- Low Q
- G
- and R
- DS(on)
- Low Drain-to-Tab Capacitance
- Low Package Inductance
- Advantages:
- Easy to Mount
- Space Savings
Anwendung
- Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
- DC-DC Converters
- Battery Chargers
- Uninterrupted Power Supplies
- AC Motor Drives
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | PLUS-264-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6.5 V | Qg - Gate Charge: | 310 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 kW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | HiPerFET | Series: | IXFB30N120P |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 56 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 13 S | Height: | 26.59 mm |
| Length: | 20.29 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 60 ns | Factory Pack Quantity: | 25 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 95 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 57 ns | Width: | 5.31 mm |
| Unit Weight: | 0.056438 oz |
Versand
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFB30N120P is a power semiconductor chip designed for use in high-power applications such as industrial motor drives, inverters, and power supplies. It offers low conduction and switching losses, high switching frequency, and high reliability. The chip features a fast recovery diode and a split-gate design for improved performance.
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Equivalent
The equivalent products of IXFB30N120P chip are the Infineon FP30R12YT3 and STMicroelectronics STGW30NC120HD. These are both IGBT transistors with similar specifications and performance characteristics to the IXFB30N120P. -
Features
IXFB30N120P is a high-power IGBT transistor with a voltage rating of 1200V, a maximum current rating of 60A, and a low collector-emitter saturation voltage. It features low switching energy losses and high ruggedness, making it suitable for high-power applications such as motor drives, inverters, and power supplies. -
Pinout
The IXFB30N120P is a 30A, 1200V high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) in a TO-220 package. It has 3 pins - Gate (G), Collector (C), and Emitter (E). The G pin is used to control the switching of the transistor, while C and E are for the flow of current. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of the IXFB30N120P. It is an American technology company that specializes in the development and manufacturing of power semiconductors, integrated circuits, and power systems for various industries including automotive, aerospace, and industrial applications. -
Application Field
The IXFB30N120P is typically used in applications that require high power and efficiency, such as industrial motor drives, welding equipment, UPS systems, and renewable energy systems. Its high voltage and current rating make it suitable for high-power applications where reliable, high-performance operation is essential. -
Package
The IXFB30N120P chip comes in a TO-220 package type, with a single form and a size of 3.2mm x 1.65mm x 0.6mm.
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