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IXFB40N110P
Trans MOSFET N-CH 1.1KV 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFB40N110P
Datenblatt: IXFB40N110P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PLUS-264-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $45,861 | $45,861 |
200 | $17,748 | $3549,600 |
500 | $17,125 | $8562,500 |
1000 | $16,816 | $16816,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFB40N110P Allgemeine Beschreibung
The innovative Polar™ HiPerFETs, exemplified by the IXFB40N110P product, epitomize the cutting-edge technology of the Polar Standard product line. With a focus on optimizing performance, these HiPerFETs boast a faster body diode that significantly reduces reverse recovery time (trr), making them ideal for demanding applications such as phase-shift bridges in motor control and uninterruptible power supply (UPS) systems. This advanced family of HiPerFETs stands out for its exceptional features, including the lowest RDS(on), low thermal resistance (RthJC), minimal gate charge (Qg), and enhanced DV/DT capability
Funktionen
- Ultra Fast Switching Performance
- Silicon Gate Structure
- High Temperature Operation Capability
- Low Current Limit
Anwendung
- Backup Power Systems
- Drive Motors Efficiently
- Power Your Electronics
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | PLUS-264-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.1 kV | Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 260 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V | Qg - Gate Charge: | 310 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 1.25 kW | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HiPerFET | Series: | IXFB40N110 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 54 ns |
Height: | 26.59 mm | Length: | 20.29 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 55 ns |
Factory Pack Quantity: | 25 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 53 ns | Width: | 5.31 mm |
Unit Weight: | 0.056438 oz |
Versand
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