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$5000IXFB60N80P
Trans MOSFET N-CH 800V 60A 3-Pin(3+Tab) PLUS 264
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFB60N80P
Datenblatt: IXFB60N80P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: PLUS-264-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFB60N80P Allgemeine Beschreibung
With a focus on delivering peak efficiency and performance, the Polar™ HiPerFETs (IXF) family stands out for its exceptionally low RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability. These features make it a preferred choice for engineers and designers seeking optimal solutions for demanding applications in the realm of power electronics. Whether for motor control systems or UPS units, the IXFB60N80P product exceeds expectations by offering unparalleled efficiency and reliability
Funktionen
- Reduced Emissions and Noise
- Simplified Soldering Process
- Enhanced Reliability and Durability
- Achieves High Efficiency
Anwendung
- Efficient Resonant Power Supplies
- Intelligent Battery Chargers
- Dynamic Motor Drives
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | PLUS-264-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | Id - Continuous Drain Current: | 60 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 140 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | Qg - Gate Charge: | 250 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 kW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | HiPerFET | Series: | IXFB60N80 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 26 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 35 S | Height: | 26.59 mm |
| Length: | 20.29 mm | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 29 ns | Factory Pack Quantity: | 25 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | PolarHV HiPerFET Power MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 110 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns | Width: | 5.31 mm |
| Unit Weight: | 0.056438 oz |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFB60N80P is a power MOSFET transistor designed for high frequency and high power applications. It has a voltage rating of 800V and a current rating of 60A, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high power electronics applications. The chip has low on-state resistance and fast switching times, making it efficient and reliable in demanding applications.
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Equivalent
The equivalent products of IXFB60N80P chip are Infineon's IPP60R190P6, IPP60R280P6, and IPP60R280CP. -
Features
IXFB60N80P is a high voltage power MOSFET with a maximum voltage rating of 800V and a continuous drain current rating of 60A. It has a low on-resistance of 0.17 ohms and a fast switching speed. It is designed for use in high power applications such as motor control, power supplies, inverters, and battery management systems. -
Pinout
The IXFB60N80P is a 5-pin MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a Function as an N-Channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a voltage rating of 800V. It is typically used in power electronic circuits for high voltage applications. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of IXFB60N80P. It is a semiconductor company that specializes in the design, manufacture, and marketing of power semiconductors for the global market. IXYS provides a wide range of products for applications in industries such as automotive, industrial, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
IXFB60N80P is a high-voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) suitable for use in applications such as motor drives, induction heating, solar inverters, and power supplies. Its high voltage and current capabilities make it ideal for high-power systems that require efficient and reliable switching. -
Package
The IXFB60N80P is a power MOSFET chip that comes in a TO-220AB package. It has a form factor of rectangular prism and a standard size of 10.4mm x 4.6mm x 9.5mm.
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