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IXFH50N20
This MOSFET also features a low gate threshold voltage of 4V at 4mA, making it efficient for control circuits
Marken: Littelfuse
Herstellerteil #: IXFH50N20
Datenblatt: IXFH50N20 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-247-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $7,120 | $7,120 |
| 200 | $2,756 | $551,200 |
| 500 | $2,659 | $1329,500 |
| 1000 | $2,612 | $2612,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFH50N20 Allgemeine Beschreibung
Engineers seeking high-quality Power MOSFETs for their industrial applications can rely on the IXFH50N20 in the N-Channel HiPerFET™ Standard series. This series is known for its versatility and performance in both hard switching and resonant mode applications. With features like low gate charge and excellent ruggedness, the IXFH50N20 delivers reliable operation and efficiency. The fast intrinsic diode further enhances the functionality of this MOSFET, making it a valuable component for a wide range of industrial applications. Additionally, the series is available in various standard industrial packages, including isolated types, catering to different design requirements and preferences
Funktionen
- International Standard Packages
- High Current Handling Capability
- Low R
- DS(on)
- HDMOS process
- Avalanche Rated
- Low Package Inductance
- Fast intrinsic diode
Anwendung
- Compact size
- Energy efficient
- Reliable performance
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Drain-Source Voltage (V) | 200 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.045 |
| Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 50 | Gate Charge (nC) | 190 |
| Input Capacitance, CISS (pF) | 4400 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.42 |
| Configuration | Single | Package Type | TO-247 |
| Power Dissipation (W) | 298 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 200 |
| Sample Request | No |
Versand
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Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFH50N20 is a high-speed, high-power MOSFET chip designed for use in a variety of applications, including power supplies, motor controls, and converters. It features low on-resistance and high switching speeds, making it ideal for high-performance electronics. With a voltage rating of 200V and a current rating of 50A, this chip offers excellent efficiency and reliability.
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Equivalent
The equivalent products of the IXFH50N20 chip are the IRFH540N and IRFHC40N chips. These chips all have similar specifications and performance characteristics. -
Features
IXFH50N20 is a N-Channel power MOSFET with a high current rating of 50A and a voltage rating of 200V. It has a low on-state resistance, high switching speed, and is suitable for high-power applications. It also has a TO-247 package for easy mounting and heat dissipation. -
Pinout
IXFH50N20 is a power MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are Gate, Drain, and Source. The function of this device is to switch and control the flow of power in a circuit. It is typically used in high power applications such as motor control and power supplies. -
Manufacturer
IXFH50N20 is manufactured by IXYS Corporation, a global provider of power semiconductors and integrated circuits for energy efficient products. IXYS Corporation designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor devices for industrial, communications, medical, power management, and consumer applications. -
Application Field
IXFH50N20 is commonly used in high power applications such as motor control, DC-DC converters, and high voltage switching circuits. It is also used in renewable energy systems, industrial automation, and power supplies due to its high current handling capability and low on-state resistance. -
Package
The IXFH50N20 chip comes in a TO-247 package. It is a power MOSFET in N-channel enhancement mode with a form factor of a discrete semiconductor. The size of the chip is 23.5mm x 10.4mm with a thickness of 4.6mm.
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