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$5000IXFH60N50P3
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFH60N50P3
Datenblatt: IXFH60N50P3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO247-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.674 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFH60N50P3 Allgemeine Beschreibung
Unleash the power of the IXFH60N50P3, the latest innovation from our PolarP3™ HiPerFET™ product family. With a focus on high performance in the 300V, 500V, and 600V range, this product offers an impressive Figure of Merit (FOM) that surpasses traditional super junction technologies. The IXFH60N50P3 delivers unparalleled results, including up to a 12 percent reduction in on-state resistance (Rdson), a 14 percent decrease in gate charge (Qg), and an outstanding 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Additionally, advancements in thermal management have been achieved through reduced chip thicknesses, resulting in lower thermal resistances and increased total power density. Elevate your electronics with the superior capabilities of the IXFH60N50P3
Funktionen
- Increased power conversion
- High-efficiency operation
- Compact design
- Easy integration
Anwendung
- Cutting-edge energy solutions
- Intelligent power management
- Efficient motor control
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V | Id - Continuous Drain Current | 60 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V | Qg - Gate Charge | 96 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 1.04 mW | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | HiPerFET | Series | IXFH60N50 |
Brand | IXYS | Configuration | Single |
Fall Time | 8 ns | Forward Transconductance - Min | 60 S, 35 S |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 16 ns |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Versand
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---|---|---|---|
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