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IXFK140N30P

Trans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-264

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: LITTELFUSE INC

Herstellerteil #: IXFK140N30P

Datenblatt: IXFK140N30P Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-264-3

Produktart: MOSFET

RoHS-Status:

Lagerzustand: 7836 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXFK140N30P Allgemeine Beschreibung

Polar™ HiPerFETs (IXF) combine the strengths of the Polar Standard product family with a faster body diode, whose reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of HiPerFETs provides lowest RDS(on),low RthJC, low Qg, and enhanced DV/DT capability.

Funktionen

  • International Standard Packages
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Avalanche Rated
  • Fast Intrinsic Rectifier
  • Low Q
  • G
  • and R
  • DS(on)
  • Low Drain-to-Tab Capacitance
  • Low Package Inductance
  • Advantages:
  • Easy to Mount
  • Space Savings

Anwendung

  • Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
  • DC-DC Converters
  • Battery Chargers
  • Uninterrupted Power Supplies
  • AC Motor Drives

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer LITTELFUSE INC Package Description FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Samacsys Manufacturer LITTELFUSE Additional Feature AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas) 5000 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 300 V
Drain Current-Max (ID) 140 A Drain-source On Resistance-Max 0.024 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-264AA
JESD-30 Code R-PSFM-T3 JESD-609 Code e1
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 1040 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 300 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Versand

Versandart Versandgebühr Vorlaufzeit
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Zahlung

Zahlungsbedingungen Handgebühr
Banküberweisung Banküberweisung Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet.
Paypal Paypal 4,0 % Servicegebühr wird berechnet.
Kreditkarte Kreditkarte 3,5 % Servicegebühr wird berechnet.
Western Union Western Union charge US.00 banking fee.
Geldgramm Geldgramm Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet.

Garantien

1. Die von Ihnen gekauften elektronischen Bauteile enthalten eine 365-tägige Garantie. Wir garantieren die Produktqualität.

2. Wenn einige der Artikel, die Sie erhalten haben, nicht von perfekter Qualität sind, würden wir verantwortungsvoll Ihre Rückerstattung oder Ersatz arrangieren. Die Artikel müssen jedoch in ihrem Originalzustand verbleiben.

Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IXFK140N30P is a power MOSFET chip designed for high-frequency switching applications. It features a low on-resistance and high current capability, making it ideal for use in power converters, motor control, and other high-power applications. The chip offers reliable and efficient performance in a compact package, making it popular in various electronic devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of IXFK140N30P chip are Infineon FZ1400R30KF2 and Fairchild FS2M110MRF. These chips have similar specifications and can be used as alternatives to the IXFK140N30P in certain applications.
  • Features

    - High voltage power MOSFET - 300V drain-source voltage - 140A continuous drain current - Low on-resistance of 0.035 ohms - Fast switching capability - TO-264 package - RoHS compliant
  • Pinout

    The IXFK140N30P is a MOSFET transistor with a TO-264 package. It has 3 pins: gate, drain, and source. The gate pin is used to control the flow of current between the drain and source pins.
  • Manufacturer

    IXYS Corporation is the manufacturer of IXFK140N30P. IXYS Corporation is a semiconductor company specializing in power and analog semiconductor technologies. They design, develop, and manufacture advanced power semiconductors, integrated circuits, and RF systems for a variety of industries including automotive, telecommunications, and industrial applications.
  • Application Field

    IXFK140N30P is a high-voltage power MOSFET commonly used in applications such as automotive, industrial, and telecommunications power systems that require high efficiency and reliability. It can be used in switch-mode power supplies, motor control, inverters, and DC-DC converters.
  • Package

    The IXFK140N30P chip is in a TO-264 package, with a form of N-Channel Enhancement mode power MOSFET that has the dimensions 0.650 x 0.620 x 0.190 inches (16.51 x 15.75 x 4.82 mm).

Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie

  • Produkt

    Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.

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    Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.

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    Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD

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