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IXFK27N80Q
Low threshold voltage of 4mA for efficient operation
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFK27N80Q
Datenblatt: IXFK27N80Q Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-264-3
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $8,887 | $8,887 |
10 | $8,756 | $87,560 |
25 | $8,531 | $213,275 |
100 | $8,334 | $833,400 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFK27N80Q Allgemeine Beschreibung
As a flagship product in the Q-Class series, the IXFK27N80Q Power MOSFET stands out for its superior performance in both hard switching and resonant mode applications. With its low gate charge and excellent ruggedness, this device is a go-to choice for engineers looking for reliability and efficiency in their industrial designs. The fast intrinsic diode adds an extra layer of convenience and reliability to the IXFK27N80Q, making it a versatile solution for a wide range of electronic applications. Available in isolated types and other standard industrial packages, this MOSFET offers flexibility and convenience for various circuit designs
Funktionen
- Advanced Power Management
- High-Speed Logic Capabilities
- Robust ESD Protection
- Safe Operating Voltage Range
- Low Noise and Distortion
- Wide Temperature Tolerance
- Reliable power supply
- Innovative solution
- Superior performance
Anwendung
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-264-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V | Id - Continuous Drain Current: | 27 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 320 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V | Qg - Gate Charge: | 170 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 500 W | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HiPerFET | Series: | HiPerFET |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 13 ns |
Forward Transconductance - Min: | 20 S | Height: | 26.16 mm |
Length: | 19.96 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 28 ns | Factory Pack Quantity: | 25 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | HiPerFET Power MOSFETS Q-CLASS | Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns | Width: | 5.13 mm |
Unit Weight: | 0.352740 oz |
Versand
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