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$5000IXFK36N60
Silicon Metal-oxide Semiconductor FET TO-264 3 PIN
Marken: Littelfuse
Herstellerteil #: IXFK36N60
Datenblatt: IXFK36N60 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-264-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.503 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFK36N60 Allgemeine Beschreibung
Meet the IXFK36N60, a standout product in the N-Channel HiPerFET™ Standard series renowned for its exceptional performance in power MOSFET applications. With a focus on both hard switching and resonant mode uses, this series offers low gate charge and outstanding ruggedness to meet the demands of diverse industrial settings. The IXFK36N60 features a fast intrinsic diode that enhances efficiency and reliability, making it a top choice for critical operations. Available in various standard industrial packages, including isolated types, the IXFK36N60 delivers unmatched versatility and performance for your projects
Funktionen
- Low Voltage Operation
- High Surge Currents
- Ruggedized Construction
- Avalanche Rated
Anwendung
- Energy-efficient solution
- Compact size
- Versatile applications
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Drain-Source Voltage (V) | 600 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.18 |
| Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 36 | Gate Charge (nC) | 325 |
| Input Capacitance, CISS (pF) | 9000 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.25 |
| Configuration | Single | Package Type | TO-264 |
| Power Dissipation (W) | 500 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 250 |
| Sample Request | No |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Verpackung
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFK36N60 is a high-voltage and high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for power electronics applications. It offers low loss and high efficiency, making it suitable for use in various industrial and automotive applications. With a breakdown voltage of 600V and a current rating of 36A, this chip provides reliable and robust performance in demanding electrical systems.
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Equivalent
The equivalent products of IXFK36N60 chip are Infineon's IRG4BC20UDPBF, STMicroelectronics' STGW30NC60WD, and Fairchild Semiconductor's NGTB15N360L3 G. These chips have similar specifications and can be used as substitutes for the IXFK36N60 in power electronic applications. -
Features
1. High voltage (600V) and current (36A) rating 2. Fast switching performance 3. Low on-resistance and fast recovery time 4. Suitable for high power applications such as motor drives, inverters, and power supplies 5. Robust and reliable design for extended lifespan 6. TO-264 package for easy mounting and thermal dissipation. -
Pinout
The IXFK36N60 is a MOSFET transistor with a TO-264 package. It has three pins: gate, drain, and source. The pin count is 3, with the gate being the control pin, the drain connecting to the load, and the source connected to the ground. -
Manufacturer
IXFK36N60 is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, sensors, and security solutions. Founded in 1999, Infineon is one of the largest semiconductor companies in the world, known for its high-quality products and innovative technologies in various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
IXFK36N60 is a high voltage power MOSFET commonly used in power supply, motor control, and industrial applications. Its high input capacitance and low gate charge make it ideal for high-frequency switching applications. Additionally, its high breakdown voltage and low on-state resistance allow for efficient power conversion. -
Package
The IXFK36N60 is a fast-switching IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip in TO-264 package with a TO-264 form. It has a size of 27.9mm x 30.9mm x 5.84mm.
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