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IXFK90N20 48HRS

With a 90 amp current capacity, IXFK90N20 is a powerful MOSFET designed for high-voltage applications

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: IXYS

Herstellerteil #: IXFK90N20

Datenblatt: IXFK90N20 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-264-3

RoHS-Status:

Lagerzustand: 5.656 Stück, Neues Original

Produktart: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Preisgestaltung

*Alle Preise sind in USD

Menge Einzelpreis Ext. Preis
1 $41,966 $41,966
200 $16,746 $3349,200
500 $16,186 $8093,000
1000 $15,910 $15910,000

Auf Lager: 5.656 Stck

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IXFK90N20 Allgemeine Beschreibung

The IXFK90N20 Power MOSFET stands out for its reliability and efficiency, making it a popular choice for engineers and designers looking for high-quality components. Its robust construction ensures long-lasting performance, while its low gate charge helps optimize power efficiency in electronic circuits. Additionally, the fast intrinsic diode contributes to quicker switching speeds, enhancing overall system performance

Funktionen

  • Compact Form Factor Design
  • Silicon Carbide Material Properties
  • Thermal Shock Resistance Level
  • Achievable Power Density Rating

Anwendung

  • Compact size
  • Efficient power conversion
  • Industrial-grade quality

Spezifikationen

Parameter Wert Parameter Wert
Manufacturer IXYS Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-264-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 200 V Id - Continuous Drain Current 90 A
Rds On - Drain-Source Resistance 23 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 500 W Channel Mode Enhancement
Tradename HyperFET Series HiPerFET
Brand IXYS Configuration Single
Fall Time 30 ns Forward Transconductance - Min 60 S
Height 26.16 mm Length 19.96 mm
Product Type MOSFET Rise Time 80 ns
Factory Pack Quantity 25 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 75 ns
Typical Turn-On Delay Time 30 ns Width 5.13 mm
Unit Weight 0.352740 oz

Versand

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
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EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage
REGISTRIERTE LUFTPOST REGISTRIERTE LUFTPOST $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 Tage

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Verpackung

  • Produkt

    Schritt1 :Produkt

  • Vakuumverpackung

    Schritt2 :Vakuumverpackung

  • Antistatikbeutel

    Schritt3 :Antistatikbeutel

  • Individuelle Verpackung

    Schritt4 :Individuelle Verpackung

  • Verpackungskartons

    Schritt5 :Verpackungskartons

  • Barcode-Versandetikett

    Schritt6 :Barcode-Versandetikett

Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.

Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.

Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.

Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

  • ESD
  • ESD

Teilpunkte

  • The IXFK90N20 is a high-performance N-channel MOSFET designed for applications requiring high power density, efficiency, and reliability. With a low on-state resistance and high current capability, this chip is ideal for use in motor control, power supplies, and automotive systems. It offers robust performance and thermal characteristics, making it a versatile and dependable option for a wide range of applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of IXFK90N20 chip are IRFP250N, IRFP460N, FQA28N15, IPW65R045CP, and IXTK90N20L2. These chips are power MOSFETs with similar specifications and can be used as substitutes for the IXFK90N20 in various applications.
  • Features

    Some features of IXFK90N20 include a high voltage power MOSFET with low on-state resistance, high current capability, fast switching speed, and low gate charge. It is suitable for use in high power applications such as motor control, power supplies, and inverters.
  • Pinout

    IXFK90N20 is a MOSFET transistor with a pin count of 3, including the gate, drain, and source pins. It is used for high-power applications, such as in power supplies and motor control circuits.
  • Manufacturer

    IXFK90N20 is manufactured by IXYS Corporation. They are a global supplier of power semiconductors and advanced material technologies. IXYS Corporation specializes in the development and production of a wide range of power devices, including MOSFETs, IGBTs, rectifiers, and thyristors, used in various industries such as automotive, telecommunications, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The IXFK90N20 is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as switch-mode power supplies, motor control, and high voltage DC-DC converters. It is also used in industrial and automotive applications that require high efficiency and high power handling capabilities.
  • Package

    The IXFK90N20 chip is a silicon carbide (SiC) power MOSFET in TO-247 package. It has a form factor of TO-247 and the size of the chip is 15.5mm x 20mm.

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