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$5000IXFK98N50P3
High voltage N-channel MOSFET with 98A current capacity and TO-264AA packaging
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFK98N50P3
Datenblatt: IXFK98N50P3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: TO-264-3
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFK98N50P3 Allgemeine Beschreibung
Elevate your power management solutions with the PolarP3™ HiPerFET™ product family, the latest innovation in high-performance FETs for the 300V to 600V range. By leveraging a unique Figure of Merit calculation that considers both gate charge and on-state resistance, these FETs outperform traditional super junction technologies. Experience a substantial reduction in on-state resistance (Rdson) of up to 12%, a decrease in gate charge (Qg) by 14%, and an impressive 20% increase in maximum power dissipation (Pd). The FETs' reduced chip thicknesses also contribute to lower thermal resistances, enhancing the device's total power density
Funktionen
- High isolation voltage rating
- Low input capacitance
- Rapid start-up time
- Wide operating temperature range
Anwendung
- High-power semiconductor devices
- Precision motor drive technology
- Smart grid integration solutions
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-264-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V | Id - Continuous Drain Current: | 98 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 50 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | Qg - Gate Charge: | 197 nC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 1.3 kW | Channel Mode: | Enhancement |
Tradename: | HiPerFET | Series: | IXFK98N50 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 6 ns |
Forward Transconductance - Min: | 96 S, 58 S | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 8 ns | Factory Pack Quantity: | 25 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Unit Weight: | 0.352740 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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