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IXFM75N10

Low resistance of 0.02ohm

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marken: ixys

Herstellerteil #: IXFM75N10

Datenblatt: IXFM75N10 Datenblatt (PDF)

Paket/Gehäuse: TO-204AE-3

Produktart: Single FETs, MOSFETs

RoHS-Status:

Lagerzustand: 6.065 Stück, Neues Original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IXFM75N10 Allgemeine Beschreibung

Designed for high-frequency applications, the IXFM75N10 power MOSFET is a standout choice for engineers seeking a reliable and efficient solution for their power management needs. Its impressive voltage and current ratings, coupled with low on-resistance and fast switching speed, set it apart from other MOSFETs in the market. The TO-220 package ensures effective heat dissipation, while the robust design guarantees long-lasting performance in challenging environments. Whether for power supplies, motor drives, or other power management systems, the IXFM75N10 excels in delivering high efficiency and reliability

Funktionen

  • The IXFM75N10 is a power MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 75A
  • It features low on-resistance for efficient power handling, making it suitable for high-power applications such as motor control, power supplies, and inverters
  • Additionally, it offers fast switching characteristics for improved performance in switching applications
  • Anwendung

    • Optimal choice for industrial automation
    • Highly reliable power MOSFET transistor
    • Fast switching speeds for automotive systems

    Spezifikationen

    Parameter Wert Parameter Wert
    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style Through Hole
    Package / Case TO-204AE-3 Transistor Polarity N-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
    Id - Continuous Drain Current 75 A Rds On - Drain-Source Resistance 20 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 300 W
    Channel Mode Enhancement Tradename HiPerFET
    Brand IXYS Configuration Single
    Fall Time 60 ns Forward Transconductance - Min 30 S
    Height 11.4 mm Length 39.12 mm
    Product Type MOSFET Rise Time 60 ns
    Factory Pack Quantity 20 Subcategory MOSFETs
    Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 80 ns
    Typical Turn-On Delay Time 20 ns Width 26.66 mm
    Unit Weight 0.229281 oz

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    Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.

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