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$5000IXFN110N60P3
Product IXFN110N60P3 is a N-channel MOSFET with a maximum voltage rating of 600V and a current rating of 90A, suitable for power applications up to 1
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN110N60P3
Datenblatt: IXFN110N60P3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFN110N60P3 Allgemeine Beschreibung
The IXFN110N60P3 PolarP3™ HiPerFET™ sets a new standard in high-performance FETs within the 300V to 600V range. With a focus on enhancing efficiency and performance, this advanced FET boasts a high Figure of Merit (FOM) that leverages the multiplication of Qg and Rdson to outperform traditional super junction technologies. Thanks to its innovative design, customers can experience significant improvements, including a 12 percent decrease in on-state resistance (Rdson), a 14 percent reduction in gate charge (Qg), and an impressive 20 percent increase in maximum power dissipation (Pd). Additionally, the reduced chip thicknesses lead to lower thermal resistances, ultimately increasing the total power density of the device for enhanced performance in demanding applications
Funktionen
- Faster switching speed
- High power rating capacity
- Economical in design
- Promotes energy efficiency
Anwendung
- Heavy duty power systems
- Advanced motor controls
- Efficient solar solutions
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
Type: | HiperFET | Technology: | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | IXFN110N60 |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 15 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 90 A | Number of Channels: | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation: | 1.5 mW | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms | Rise Time: | 30 ns |
Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename: | HiPerFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 106 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 63 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Unit Weight: | 1.058219 oz |
Versand
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---|---|---|---|
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