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$5000IXFN120N65X2
Description: IXFN120N65X2 MOSFET with N-Channel, rated at 650 Volts and 108 Amperes
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN120N65X2
Datenblatt: IXFN120N65X2 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFN120N65X2 Allgemeine Beschreibung
Enter the realm of cutting-edge technology with the IXFN120N65X2 product, a game-changer in MOSFET innovation. Crafted with precision and utilizing the charge compensation principle alongside proprietary process technology, these devices boast unmatched on-state resistances, minimal gate charges, and superior dv/dt performance. Their rugged avalanche capability guarantees resilience in challenging environments, while the fast soft-recovery body diode reduces switching losses and minimizes electromagnetic interference, resulting in optimized efficiency and enhanced performance
Funktionen
- Small size and lightweight
- High reliability and durability
- Economical price and cost-effective
Anwendung
- Efficient power supplies
- Advanced battery chargers
- Precision motor drives
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Type: | HiperFET | Technology: | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
| Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | 650V Ultra Junction X2 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 12 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 108 A | Number of Channels: | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 890 W | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms | Rise Time: | 23 ns |
| Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Tradename: | HiPerFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 86 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 64 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
| Unit Weight: | 1.058219 oz |
Versand
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|---|---|---|---|
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