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IXFN140N25T
Trench Power MOSFET
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN140N25T
Datenblatt: IXFN140N25T Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227B
RoHS-Status:
Lagerzustand: 5.857 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $84,807 | $84,807 |
| 200 | $33,839 | $6767,800 |
| 500 | $32,708 | $16354,000 |
| 1000 | $32,149 | $32149,000 |
Auf Lager: 5.857 Stck
IXFN140N25T Allgemeine Beschreibung
Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(on), thus guaranteeing very low power Dissipation. This, combined with wide ranging operating junction temperature from -40 °C to 175 °C make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.
Funktionen
- International Standard Packages
- Low R
- DS(ON)
- Avalanche rated
- High Current Handling Capability
- Fast Intrinsic Rectifier
- Advantages:
- Easy to Mount
- Space Savings
- High power density
Anwendung
- Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
- DC-DC Converters
- Battery Chargers
- Uninterrupted Power Supplies
- AC motor drives
- DC Choppers
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS | Details | Type | GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
| Technology | Si | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Mounting Style | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4 |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | IXFN140N25 | Brand | IXYS |
| Configuration | Single | Fall Time | 22 ns |
| Height | 12.22 mm | Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| Length | 38.23 mm | Number of Channels | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation | 690 W | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 17 mOhms | Rise Time | 29 ns |
| Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
| Tradename | HiPerFET | Transistor Polarity | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 92 ns | Typical Turn-On Delay Time | 33 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Width | 25.42 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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