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IXFN180N25T
Trans MOSFET N-CH 250V 168A 4-Pin SOT-227B
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN180N25T
Datenblatt: IXFN180N25T Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
|---|---|---|
| 1 | $19,811 | $19,811 |
| 200 | $7,667 | $1533,400 |
| 500 | $7,398 | $3699,000 |
| 1000 | $7,265 | $7265,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFN180N25T Allgemeine Beschreibung
With the IXFN180N25T, you get more than just a standard power MOSFET – you get a cutting-edge solution for your low voltage and high current needs. Its ultra-low RDS(on) not only saves power but also delivers superior performance in tough conditions. From automotive applications to other demanding environments, this MOSFET is designed to excel and provide long-lasting reliability
Funktionen
- High Current Handling Capability Available
- Space-Saving Package Design
- Fast Response Time
Anwendung
- Efficient power supply
- Reliable DC converter
- Advanced battery charger
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Type: | GigaMOS Power MOSFET | Technology: | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
| Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | IXFN180N25 |
| Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
| Configuration: | Single | Fall Time: | 20 ns |
| Height: | 12.22 mm | Id - Continuous Drain Current: | 168 A |
| Length: | 38.23 mm | Number of Channels: | 1 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 900 W | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 12.9 mOhms | Rise Time: | 52 ns |
| Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Tradename: | HiPerFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 88 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 250 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Width: | 25.42 mm |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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|---|---|---|
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFN180N25T is a high-performance power MOSFET chip designed for use in high-power applications. It features a low on-state resistance and high current handling capabilities, making it ideal for power conversion and motor control applications. The chip is known for its reliability and efficiency in managing high-power systems.
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Equivalent
Equivalent products of IXFN180N25T chip include STW75N20 FET, IRFP4768 MOSFET, and AUIRFN8459 FET. -
Features
The IXFN180N25T is a Power MOSFET designed for high power applications with a voltage rating of 250V and a current rating of 180A. It features low on-state resistance for efficient power handling, low gate charge for fast switching, and a rugged construction for reliable performance in demanding environments. -
Pinout
The IXFN180N25T is a TO-268 package type Power MOSFET with a pin count of 3. The pins are Gate, Drain, and Source. This device is used for power switching applications in a variety of industrial and automotive applications. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of the IXFN180N25T. IXYS Corporation is a global semiconductor company specializing in power and analog semiconductors. They design and produce a wide variety of products for a range of applications such as power conversion, motor control, and renewable energy. -
Application Field
IXFN180N25T is a high voltage MOSFET designed for use in power supply, DC-DC converters, motor control, and other high voltage applications. It is suitable for applications that require high efficiency, low conduction losses, and high frequency operation. -
Package
The IXFN180N25T chip is in a TO-247 package, with a through-hole form. It has a size of 31.5mm x 15.9mm.
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