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$5000IXFN200N10P
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 4-Pin SOT-227B
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN200N10P
Datenblatt: IXFN200N10P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4,miniBLOC
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.035 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFN200N10P Allgemeine Beschreibung
Whether used in motor control systems or UPS units, the IXFN200N10P ensures optimal performance and longevity. Its advanced features make it a versatile solution for a wide range of power management challenges, providing users with a dependable and efficient power handling solution
Funktionen
- Low Vibration Capability
- Robust Construction
- Fault-Tolerant Operation
- High Reliability
Anwendung
- Advanced Power Management
Spezifikationen
| Parameter | Wert | Parameter | Wert |
|---|---|---|---|
| Series | HiPerFET™, Polar | Package | Tube |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 500mA, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 680W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Chassis Mount |
| Supplier Device Package | SOT-227B | Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Base Product Number | IXFN200 |
Versand
| Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
|---|---|---|---|
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| Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
|---|---|---|
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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The IXFN200N10P is a power MOSFET chip designed for high voltage and high-speed switching applications. It features a drain-to-source voltage of 1000V and a continuous drain current of 200A, making it suitable for industrial and automotive power systems. The chip is built with advanced silicon technology to deliver efficient performance and reliability in demanding environments.
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Equivalent
The equivalent products of IXFN200N10P chip are IXFX280N10P, IXFQ300N10P, and IXYS IXTK200N10P. These products offer similar features and performance levels to the IXFN200N10P chip. -
Features
IXFN200N10P is a 100V, 200A MOSFET module with a low on-state resistance of 4.6mOhm. It has an integrated gate drive circuitry, internal temperature monitoring, and fault reporting. The module is designed for motor control, power supply, and inverter applications. -
Pinout
IXFN200N10P is a power MOSFET with a pin count of three. The functions of the pins are gate, drain, and source. The maximum drain-source voltage is 100 volts, with a continuous drain current of 200 amps. It is designed for high-power switching applications. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of IXFN200N10P. IXYS Corporation is a global provider of semiconductor solutions, specializing in power, radio frequency, and signal processing technologies. They provide products that improve efficiency, performance, and reliability in a variety of applications including industrial, automotive, telecommunications, and medical industries. -
Application Field
IXFN200N10P is a power MOSFET transistor with a high voltage rating and low on-resistance, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, inverters, and electronic loads. It can be used in industrial, automotive, and consumer electronics applications where high efficiency and reliable switching are required. -
Package
The IXFN200N10P chip comes in a TO-268 package type. It is a power MOSFET designed in a through hole form. The size of the chip is approximately 10.5mm x 9.9mm x 4.6mm.
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