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$5000IXFN210N20P
Durable and compact IXFNP for harsh environment condition
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Marken: Littelfuse
Herstellerteil #: IXFN210N20P
Datenblatt: IXFN210N20P Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 8.548 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFN210N20P Allgemeine Beschreibung
The IXFN210N20P is a top-of-the-line MOSFET transistor that has been expertly crafted for use in demanding applications where efficiency and dependability are key. With a robust N-channel enhancement mode and a maximum drain-source voltage rating of 200V, this powerhouse component can handle continuous drain currents of up to 80A with ease
Funktionen
- High-Speed Data Transfer
- Low Power Consumption Mode
- Multichannel Communication
- Data Encryption Security
Anwendung
- Efficient Energy Utilization
- Adaptable Power Conversion
- Dynamic Load Response
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Drain-Source Voltage (V) | 200 | Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) | 0.0105 |
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) | 188 | Gate Charge (nC) | 255 |
Input Capacitance, CISS (pF) | 18600 | Thermal resistance [junction-case] (K/W) | 0.14 |
Configuration | Single | Package Type | SOT-227 |
Power Dissipation (W) | 1070 | Maximum Reverse Recovery (ns) | 200 |
Sample Request | Yes |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Zahlung
Zahlungsbedingungen | Handgebühr | |
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Banküberweisung | Bankgebühr in Höhe von 30,00 USD wird berechnet. |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
Alle Produkte werden in antistatischen Beuteln verpackt. Versand mit ESD-Antistatikschutz.
Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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IXFN210N20P is a power MOSFET chip designed for high power applications, with a voltage rating of 200V and a current rating of 210A. It has low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for use in power supplies, motor controls, and other high power circuits.
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Equivalent
The equivalent products of the IXFN210N20P chip include the Infineon Technologies IPD210N20N3, the ON Semiconductor NGTB25N120L3WG, and the Vishay Siliconix SiHG171N20. These devices are all similar power MOSFETs with similar specifications and features. -
Features
IXFN210N20P is a MOSFET transistor with a drain-source voltage of 200V, continuous drain current of 210A, and low on-resistance of 16mΩ. It has a compact TO-264 package with high power density and is ideal for automotive, industrial, and motor control applications. -
Pinout
The IXFN210N20P is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are for the gate, drain, and source of the transistor. The function of this transistor is to control the flow of electrical current in a circuit, making it ideal for use in power switching applications. -
Manufacturer
IXYS Corporation is the manufacturer of the IXFN210N20P. IXYS Corporation is a global technology company focusing on the development and production of power semiconductors, advanced mixed-signal integrated circuits, high voltage power systems, and digital controllers. They serve a variety of industries including power management, aerospace, telecommunications, and automotive. -
Application Field
The IXFN210N20P is commonly used in applications requiring high-power density such as electric vehicles, renewable energy systems, and industrial motor drives. It can also be used in power supplies, uninterruptible power supplies (UPS), and inverter systems due to its high efficiency and compact size. -
Package
The IXFN210N20P is a power MOSFET transistor chip. It comes in a surface-mount TO-268 package. The package size is 10.16mm x 15.24mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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