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IXFN24N100
N-channel MOSFET IXFN24N100 in SOT-227B form factor
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN24N100
Datenblatt: IXFN24N100 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.458 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $110,467 | $110,467 |
200 | $44,078 | $8815,600 |
500 | $42,604 | $21302,000 |
1000 | $41,877 | $41877,000 |
Auf Lager: 9.458 Stck
IXFN24N100 Allgemeine Beschreibung
The N-Channel HiPerFET™ Standard series, epitomized by product IXFN24N100, provides a versatile selection of Power MOSFETs tailored for various applications requiring low gate charge and exceptional ruggedness. Whether it be hard switching or resonant mode operations, this series offers a fast intrinsic diode and is designed to withstand the demands of industrial settings. From isolated package options to the reliability of popular Power MOSFETs, the HiPerFET™ Standard series delivers on both performance and durability
Funktionen
- Ultra-Low Power Consumption
- High-Speed Data Transfer
- Multimode Operation
- Integrated Power Management
Anwendung
- Optimal power management
- Seamless integration compatibility
- Consistent performance output
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer: | IXYS | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
Type: | HiperFET | Technology: | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Mounting Style: | Screw Mounts |
Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Series: | HiPerFET |
Packaging: | Tube | Brand: | IXYS |
Configuration: | Single | Fall Time: | 21 ns |
Height: | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
Length: | 38.23 mm | Number of Channels: | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation: | 568 W | Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 390 mOhms | Rise Time: | 35 ns |
Factory Pack Quantity: | 10 | Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename: | HyperFET | Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 35 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV | Width: | 25.42 mm |
Unit Weight: | 1.058219 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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REGISTRIERTE LUFTPOST | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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Paypal | 4,0 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Kreditkarte | 3,5 % Servicegebühr wird berechnet. |
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Western Union | charge US.00 banking fee. |
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Geldgramm | Bankgebühr in Höhe von 0,00 USD wird berechnet. |
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Verpackung
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Schritt1 :Produkt
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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Schritt3 :Antistatikbeutel
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Schritt4 :Individuelle Verpackung
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Schritt5 :Verpackungskartons
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Schritt6 :Barcode-Versandetikett
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Auf dem äußeren ESD-Verpackungsetikett werden die Informationen unseres Unternehmens verwendet: Teilenummer, Marke und Menge.
Wir prüfen alle Waren vor dem Versand, stellen sicher, dass sich alle Produkte in gutem Zustand befinden und dass die Teile neu und original sind und mit dem Datenblatt übereinstimmen.
Nachdem alle Waren darauf überprüft wurden, dass nach dem Verpacken keine Probleme auftreten, werden wir sicher verpacken und per Global Express versenden. Es zeigt eine ausgezeichnete Durchstoß- und Reißfestigkeit sowie eine gute Dichtungsintegrität.
Teilpunkte
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IXFN24N100 is a high power MOSFET chip with a voltage rating of 1000V and a current rating of 24A. It is designed for use in high power applications such as motor drives, power supplies, and inverters. The chip features low on-resistance and high efficiency, making it suitable for demanding power electronics applications.
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Equivalent
The equivalent products of the IXFN24N100 chip are the IXYS IXFN25N120P3 and the Infineon IPP60R190CP. These are both power MOSFETs with similar specifications and performance capabilities. -
Features
- IXFN24N100 is a 1000V and 24A silicon carbide MOSFET - Low on-resistance and fast switching - High temperature operation up to 175°C - High reliability and efficiency in power electronic applications - Low gate charge and gate voltage - Ideal for use in high power applications such as motor drives, inverters, and power supplies -
Pinout
The IXFN24N100 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pin functions are gate (G), drain (D), and source (S). The transistor is typically used for high voltage, high-speed switching applications in power electronics. -
Manufacturer
IXFN24N100 is manufactured by IXYS Corporation, which is a global semiconductor company specializing in power semiconductors, integrated circuits, and RF systems. IXYS Corporation serves industries such as transportation, industrial, medical, and energy by providing high-performance and reliable semiconductor solutions. -
Application Field
IXFN24N100 is a power MOSFET transistor that can be used in applications such as power supplies, motor control, inverters, and other high voltage switching applications. It is designed to handle high current and high voltage levels, making it suitable for a wide range of power electronics applications. -
Package
The IXFN24N100 chip is a TO-3P package type, with a form of TO-247, and a size of 10.5mm x 24mm.
Wir bieten qualitativ hochwertige Produkte, durchdachten Service und eine Kundendienstgarantie
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Wir haben reichhaltige Produkte, die Ihre unterschiedlichen Bedürfnisse erfüllen können.
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Die Mindestbestellmenge beginnt bei 1 Stück.
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Niedrigste internationale Versandgebühr beginnt ab 0,00 USD
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