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$5000IXFN32N100Q3
Trans MOSFET N-CH 1KV 28A 4-Pin SOT-227B
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN32N100Q3
Datenblatt: IXFN32N100Q3 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227B
Produktart: Single FETs, MOSFETs
RoHS-Status:
Lagerzustand: 9.508 Stück, Neues Original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXFN32N100Q3 Allgemeine Beschreibung
The Q3-Class series Power MOSFETs, such as product IXFN32N100Q3, offer a wide range of devices with exceptional power switching performance and high energy efficiency. With drain-to-source voltage ratings of 200V–1000V and drain current ratings of 10A–100A, these MOSFETs feature low on-state resistance and gate charge, resulting in reduced conduction and switching loss. The utilization of HiPerFETTM process further enhances power switching capabilities and device ruggedness, making it a reliable choice for various applications
Funktionen
- High Temperature Tolerance
- Fast Turn-On Time
- Excellent Isolation Performance
- Low Capacitance
- High Surge Immunity
Anwendung
- Easy integration
- Low maintenance
- Durable construction
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
Type | HiperFET | Technology | Si |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Mounting Style | Screw Mount |
Package / Case | SOT-227-4 | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | IXFN32N1003 | Brand | IXYS |
Configuration | Single | Id - Continuous Drain Current | 28 A |
Number of Channels | 1 Channel | Pd - Power Dissipation | 780 W |
Product Type | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance | 320 mOhms |
Rise Time | 300 ns | Factory Pack Quantity | 10 |
Subcategory | Discrete Semiconductor Modules | Tradename | HiPerFET |
Transistor Polarity | N-Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1 kV |
Unit Weight | 1.058219 oz |
Versand
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