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IXFN32N120
1.2KV N-channel Silicon Transistor MOSFET with a 32A rating in a 4-pin SOT-227B package
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Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN32N120
Datenblatt: IXFN32N120 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.861 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $41,768 | $41,768 |
200 | $16,163 | $3232,600 |
500 | $15,596 | $7798,000 |
1000 | $15,314 | $15314,000 |
Auf Lager: 6.861 Stck
IXFN32N120 Allgemeine Beschreibung
Meet the IXFN32N120, a standout component in the N-Channel HiPerFET™ Standard series of Power MOSFETs known for their versatility and superior performance. Designed for both hard switching and resonant mode applications, these MOSFETs feature low gate charge and exceptional ruggedness, accompanied by a fast intrinsic diode. Whether used in industrial settings or other demanding environments, this series offers reliability and efficiency for a wide range of applications. Additionally, the availability of various standard industrial packages, including isolated types, ensures seamless integration and compatibility with different systems
Funktionen
- Safe Operating Area Expanded
- High Efficiency Operation
- Minimized Forward Voltage Drop
- Avalanche Rated Structure
Anwendung
- Stable operation
- Minimal maintenance
- Improved efficiency
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
Technology | Si | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Mounting Style | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4 |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | HiPerFET | Brand | IXYS |
Configuration | Single | Fall Time | 22 ns |
Height | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current | 32 A |
Length | 38.23 mm | Number of Channels | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 780 W | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance | 350 mOhms | Rise Time | 42 ns |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename | HiPerFET | Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 98 ns | Typical Turn-On Delay Time | 36 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Width | 25.42 mm |
Unit Weight | 1.058219 oz |
Versand
Versandart | Versandgebühr | Vorlaufzeit | |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 Tage |
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