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$5000IXFN36N60
The product IXFN36N60 consists of individual semiconductor modules capable of handling 600 volts and 36 amps
Marken: IXYS
Herstellerteil #: IXFN36N60
Datenblatt: IXFN36N60 Datenblatt (PDF)
Paket/Gehäuse: SOT-227-4
RoHS-Status:
Lagerzustand: 6.542 Stück, Neues Original
Produktart: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Alle Preise sind in USD
Menge | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1 | $70,898 | $70,898 |
200 | $28,289 | $5657,800 |
500 | $27,344 | $13672,000 |
1000 | $26,877 | $26877,000 |
Auf Lager: 6.542 Stck
IXFN36N60 Allgemeine Beschreibung
The IXFN36N60 is a key component of the N-Channel HiPerFET™ Standard series, offering high-quality Power MOSFETs for various applications. With low gate charge and excellent ruggedness, this series is well-suited for both hard switching and resonant mode operations. Furthermore, the fast intrinsic diode enhances system efficiency. Available in standard industrial packages, including isolated types, the HiPerFET™ Standard series provides a reliable solution for power electronics design needs
Funktionen
- High Current Handling Capability
- Very Fast Turn-On Time
- Low Capacitance
- Zero Voltage Crossing
Anwendung
- Optimal energy efficiency
- Compact design
- Long-lasting durability
Spezifikationen
Parameter | Wert | Parameter | Wert |
---|---|---|---|
Manufacturer | IXYS | Product Category | Discrete Semiconductor Modules |
RoHS | Details | Product | Power MOSFET Modules |
Technology | Si | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Mounting Style | Chassis Mount | Package / Case | SOT-227-4 |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | HiPerFET | Brand | IXYS |
Configuration | Single | Fall Time | 60 ns |
Height | 9.6 mm | Id - Continuous Drain Current | 36 A |
Length | 38.23 mm | Number of Channels | 1 Channel |
Pd - Power Dissipation | 520 W | Product Type | Discrete Semiconductor Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance | 180 mOhms | Rise Time | 45 ns |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Discrete Semiconductor Modules |
Tradename | HyperFET | Transistor Polarity | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 100 ns | Typical Turn-On Delay Time | 30 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | Width | 25.42 mm |
Unit Weight | 1.058219 oz |
Versand
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Schritt2 :Vakuumverpackung
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